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參數資料
| 型號： | IXTU01N100D |
| 廠商： | IXYS CORP |
| 元件分類： | 功率晶體管 |
| 英文描述： | N-Channel, Depletion Mode High Voltage MOSFET |
| 中文描述： | 0.1 A, 1000 V, 110 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-251AA |
| 封裝： | TO-251AA, 3 PIN |
| 文件頁數： | 1/2頁 |
| 文件大?。?/td> | 99K |
| 代理商： | IXTU01N100D |
High Voltage MOSFET
D (TAB)
98809B (01/06)
GDS
2006 IXYS All rights reserved
N-Channel, Depletion Mode
V
DSS
I
D25
R
DS(on)
= 110
= 1000
= 100 mA
V
Ω
Features
z
Normally ON mode
z
Low R
DS (on)
HDMOS
TM
process
z
Rugged polysilicon gate cell structure
z
Fast switching speed
Applications
z
Level shifting
z
Triggers
z
Solid state relays
z
Current regulators
IXTP 01N100D
IXTU 01N100D
IXTY 01N100D
Preliminary Data Sheet
TO-220 (IXTP)
Pins:1 - Gate
3 - Source TAB - Drain
2 - Drain
TO-251 (IXTU)
D
S
G
D (TAB)
TO-252 (IXTY)
G
S
D (TAB)
Symbol
Test Conditions
Maximum Ratings
V
DSX
V
DGX
V
GS
V
GSM
I
DSS
I
DM
P
D
T
J
= 25°C to 150°C
T
J
= 25°C to 150°C
1000
V
1000
V
Continuous
± 20
V
Transient
± 30
V
T
C
= 25°C; T
J
= 25°C to 150°C
T
C
= 25°C, pulse width limited by T
J
100
mA
400
mA
T
C
= 25°C
T
A
= 25°C
25
1.1
W
W
T
J
T
JM
T
stg
T
L
T
ISOL
M
d
Weight
-55 ... +150
°C
150
°C
-55 ... +150
°C
1.6 mm (0.063 in.) from case for 10 s
300
°C
Plastic case for 10 s (IXTU)
300
°C
Mounting torque
TO-220
1.3 / 10
Nm/lb.
TO-220
TO-251
TO-252
4
g
g
g
0.8
0.8
Symbol
(T
J
= 25
°
C, unless otherwise specified)
Test Conditions
Characteristic Values
min.
typ.
max.
V
DSX
V
GS(off)
V
GS
= -10 V, I
D
= 25
μ
A
V
DS
= 25V, I
D
= 25
μ
A
1000
V
-2.5
-5
V
I
GSS
V
GS
=
±
20 V
DC
, V
DS
= 0
±
100
nA
I
DSX(off)
V
DS
= V
DSX
,
V
GS
= -10 V
10
μ
A
μ
A
T
J
= 125
°
C
250
R
DS(on)
V
GS
= 0 V, I
D
= 50 mA
Note 1
90
110
Ω
I
D(on)
V
GS
= 0 V, V
DS
= 25V
Note 1
100
mA
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IXTY01N100D | N-Channel, Depletion Mode High Voltage MOSFET |
| IXWW11-AL | Silicon Chip Resistors |
| IXWW13-AL | Silicon Chip Resistors |
| IXWW14-AL | Silicon Chip Resistors |
| IXWW22-AL | Silicon Chip Resistors |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| IXTU01N80 | 功能描述:MOSFET 0.1 Amps 800V 50 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| IXTU02N50D | 功能描述:MOSFET 0.2 Amps 500V 30 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| IXTU05N100 | 功能描述:MOSFET 0.5 Amps 1000V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| IXTU05N120 | 功能描述:MOSFET N-CH 1200V 0.5A TO-251 RoHS:是 類別:分離式半導體產品 >> FET - 單 系列:- 標準包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點:邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續漏極(Id) @ 25° C:18A 開態Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應商設備封裝:TO-220FP 包裝:管件 |
| IXTU06N120P | 功能描述:MOSFET N-CH 1200V 0.6A TO-251 RoHS:是 類別:分離式半導體產品 >> FET - 單 系列:- 標準包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點:邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續漏極(Id) @ 25° C:18A 開態Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應商設備封裝:TO-220FP 包裝:管件 |
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