| 型號(hào)： | IXTU01N100D |
| 廠商： | IXYS |
| 文件頁數(shù)： | 2/2頁 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 1000V 0.1A TO-251 |
| 標(biāo)準(zhǔn)包裝： | 75 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金屬氧化物 |
| FET 特點(diǎn)： | 耗盡模式 |
| 漏極至源極電壓(Vdss)： | 1000V（1kV） |
| 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C： | 100mA |
| 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 80 歐姆 @ 50mA，0V |
| Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）： | 5V @ 25µA |
| 輸入電容 (Ciss) @ Vds： | 120pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 1.1W |
| 安裝類型： | 通孔 |
| 封裝/外殼： | TO-251-3 長(zhǎng)引線，IPak，TO-251AB |
| 供應(yīng)商設(shè)備封裝： | TO-251 |
| 包裝： | 管件 |