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參數(shù)資料
型號: IXTU12N06T
廠商: IXYS
文件頁數(shù): 3/5頁
文件大小: 0K
描述: MOSFET N-CH 60V 12A TO-251
產(chǎn)品目錄繪圖: TO-220, TO-251
標(biāo)準(zhǔn)包裝: 75
系列: TrenchMV™
FET 型: MOSFET N 通道,金屬氧化物
FET 特點(diǎn): 標(biāo)準(zhǔn)
漏極至源極電壓(Vdss): 60V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C: 12A
開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 85 毫歐 @ 6A,10V
Id 時的 Vgs(th)(最大): 4V @ 25µA
閘電荷(Qg) @ Vgs: 3.4nC @ 10V
輸入電容 (Ciss) @ Vds: 256pF @ 25V
功率 - 最大: 33W
安裝類型: 通孔
封裝/外殼: TO-251-3 長引線,IPak,TO-251AB
供應(yīng)商設(shè)備封裝: TO-251
包裝: 管件
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