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參數(shù)資料
型號: IXTU2N80P
廠商: IXYS
文件頁數(shù): 2/5頁
文件大?。?/td> 0K
描述: MOSFET N-CH TO-251
標(biāo)準(zhǔn)包裝: 75
系列: PolarHV™
FET 型: MOSFET N 通道,金屬氧化物
FET 特點: 標(biāo)準(zhǔn)
漏極至源極電壓(Vdss): 800V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C: 2A
開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 6 歐姆 @ 1A,10V
Id 時的 Vgs(th)(最大): 5.5V @ 50µA
閘電荷(Qg) @ Vgs: 10.6nC @ 10V
輸入電容 (Ciss) @ Vds: 440pF @ 25V
功率 - 最大: 70W
安裝類型: 通孔
封裝/外殼: TO-251-3 短引線,IPak,TO-251AA
供應(yīng)商設(shè)備封裝: TO-251
包裝: 管件
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