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參數資料
型號: IXTY08N100D2
廠商: IXYS
文件頁數: 1/5頁
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描述: MOSFET N-CH 1000V 800MA DPAK
產品目錄繪圖: TO-252(AA), DPAK-2 Package
標準包裝: 70
FET 型: MOSFET N 通道,金屬氧化物
FET 特點: 耗盡模式
漏極至源極電壓(Vdss): 1000V(1kV)
電流 - 連續漏極(Id) @ 25° C: 800mA
開態Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 21 歐姆 @ 400mA,0V
閘電荷(Qg) @ Vgs: 14.6nC @ 5V
輸入電容 (Ciss) @ Vds: 325pF @ 25V
功率 - 最大: 60W
安裝類型: 表面貼裝
封裝/外殼: TO-252-3,DPak(2 引線+接片),SC-63
供應商設備封裝: TO-252,(D-Pak)
包裝: 管件
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