| 型號(hào)： | IXTY1R6N100D2 |
| 廠商： | IXYS |
| 文件頁數(shù)： | 1/5頁 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 1000V 1.6A DPAK |
| 產(chǎn)品目錄繪圖： | TO-252(AA), DPAK-2 Package |
| 標(biāo)準(zhǔn)包裝： | 75 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金屬氧化物 |
| FET 特點(diǎn)： | 耗盡模式 |
| 漏極至源極電壓(Vdss)： | 1000V（1kV） |
| 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C： | 1.6A |
| 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 10 歐姆 @ 800mA，0V |
| 閘電荷(Qg) @ Vgs： | 27nC @ 5V |
| 輸入電容 (Ciss) @ Vds： | 645pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 100W |
| 安裝類型： | 表面貼裝 |
| 封裝/外殼： | TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63 |
| 供應(yīng)商設(shè)備封裝： | TO-252，（D-Pak） |
| 包裝： | 管件 |