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參數(shù)資料
型號: IXTZ550N055T2
廠商: IXYS
文件頁數(shù): 2/6頁
文件大?。?/td> 0K
描述: MOSFET N-CH 55V 550A DE475
標準包裝: 9
系列: TrenchT2™ GigaMOS™
FET 型: MOSFET N 通道,金屬氧化物
FET 特點: 標準
漏極至源極電壓(Vdss): 55V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C: 550A
開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 1 毫歐 @ 100A,10V
Id 時的 Vgs(th)(最大): 4V @ 250µA
閘電荷(Qg) @ Vgs: 595nC @ 10V
輸入電容 (Ciss) @ Vds: 40000pF @ 25V
功率 - 最大: 600W
安裝類型: 表面貼裝
封裝/外殼: DE475
供應(yīng)商設(shè)備封裝: DE475
包裝: 管件
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