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JAN1N3022

配單專家企業(yè)名單

型號
供應(yīng)商
數(shù)量
廠商
封裝
批號
價格
說明
操作

JAN1N3022B
標(biāo)準(zhǔn)國際(香港)有限公司
標(biāo)準(zhǔn)國際(香港)有限公司
聯(lián)系人：朱小姐
電話：83617149
地址：新華強廣場2樓Q2B036室?|?公司: 深圳市福田區(qū)華強北路賽格廣場58樓5813室
資質(zhì)：營業(yè)執(zhí)照
10000
MICROSEMI
-
公司現(xiàn)貨!只做原裝!

JAN1N3022B-1
深圳市思諾康科技有限公司
深圳市思諾康科技有限公司
聯(lián)系人：張小姐/Vivianvi
電話：0755-83286481
地址：坂田街道東坡路3號萬致天地商業(yè)中心（A塔）1棟一單元1602
9900
Microchip Technology
DO-204AL
23+
-
微芯專營優(yōu)勢產(chǎn)品

JAN1N3022B
深圳市華芯盛世科技有限公司
深圳市華芯盛世科技有限公司
聯(lián)系人：唐先生
電話：0755-8322569219129381337（微信同號）
地址：廣東省深圳市福田區(qū)上步工業(yè)區(qū)201棟316室。
865000
DO-13
最新批號
-
一級代理.原裝特價現(xiàn)貨！

JAN1N3022C-1/TR
深圳市芯脈實業(yè)有限公司
深圳市芯脈實業(yè)有限公司
聯(lián)系人：高先生/曹先生/周小姐
電話：185208051481348786585213760272017
地址：深圳市龍崗區(qū)坂田街道南坑社區(qū)雅寶路1號星河WORLDA2203A室
22060
Microchip / Microsemi
DO-41-2
25+
-
全球渠道、原廠正品、信譽保障、閃電發(fā)貨

JAN1N3022B-1
北京京華特科技有限公司
北京京華特科技有限公司
聯(lián)系人：張小姐/韓先生
電話：010-86398446-8061581080972213911315253
地址：北京市朝陽區(qū)建國門外大街9號樓603室
1
MICROCHIP
N/A ㊣品
N/A 原裝進(jìn)口
-
代理渠道可追溯現(xiàn)貨庫存F

JAN1N3022B-1
深圳市芯馳科技有限公司
深圳市芯馳科技有限公司
聯(lián)系人：丁皓鵬
電話：1866538497818124166365
地址：福田街道深南中路3029號南光捷佳大廈2331
資質(zhì)：營業(yè)執(zhí)照
100000
MICROSEMI
N/A
15+
-
原裝正品價格優(yōu)勢！

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制造商
MICROSEMI
制造商全稱
Microsemi Corporation
功能描述
1 WATT METAL CASE ZENER DIODES

JAN1N3022 技術(shù)參數(shù)

JAN1N3021DUR-1 功能描述:Zener Diode 11V 1W ±1% Surface Mount DO-213AB (MELF, LL41) 制造商:microsemi ire division 系列:軍用，MIL-PRF-19500/115 包裝:散裝零件狀態(tài):在售電壓 - 齊納（標(biāo)稱值）（Vz）:11V 容差:±1% 功率 - 最大值:1W 阻抗（最大值）（Zzt）:8 歐姆不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:10μA @ 8.4V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.2V @ 200mA 工作溫度:-55°C ~ 175°C 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:DO-213AB，MELF 供應(yīng)商器件封裝:DO-213AB（MELF，LL41）標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 JAN1N3021D-1 功能描述:Zener Diode 11V 1W ±1% Through Hole DO-41 制造商:microsemi ire division 系列:軍用，MIL-PRF-19500/115 包裝:散裝零件狀態(tài):在售電壓 - 齊納（標(biāo)稱值）（Vz）:11V 容差:±1% 功率 - 最大值:1W 阻抗（最大值）（Zzt）:8 歐姆不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:10μA @ 8.4V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.2V @ 200mA 工作溫度:-55°C ~ 175°C 安裝類型:通孔封裝/外殼:DO-204AL，DO-41，軸向供應(yīng)商器件封裝:DO-41 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 JAN1N3021CUR-1 功能描述:Zener Diode 11V 1W ±2% Surface Mount DO-213AB (MELF, LL41) 制造商:microsemi ire division 系列:軍用，MIL-PRF-19500/115 包裝:散裝零件狀態(tài):在售電壓 - 齊納（標(biāo)稱值）（Vz）:11V 容差:±2% 功率 - 最大值:1W 阻抗（最大值）（Zzt）:8 歐姆不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:10μA @ 8.4V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.2V @ 200mA 工作溫度:-55°C ~ 175°C 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:DO-213AB，MELF 供應(yīng)商器件封裝:DO-213AB（MELF，LL41）標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 JAN1N3021C-1 功能描述:Zener Diode 11V 1W ±2% Through Hole DO-41 制造商:microsemi ire division 系列:軍用，MIL-PRF-19500/115 包裝:散裝零件狀態(tài):在售電壓 - 齊納（標(biāo)稱值）（Vz）:11V 容差:±2% 功率 - 最大值:1W 阻抗（最大值）（Zzt）:8 歐姆不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:10μA @ 8.4V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.2V @ 200mA 工作溫度:-55°C ~ 175°C 安裝類型:通孔封裝/外殼:DO-204AL，DO-41，軸向供應(yīng)商器件封裝:DO-41 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 JAN1N3021BUR-1 功能描述:Zener Diode 11V 1W ±5% Surface Mount DO-213AB (MELF, LL41) 制造商:microsemi ire division 系列:軍用，MIL-PRF-19500/115 包裝:散裝零件狀態(tài):在售電壓 - 齊納（標(biāo)稱值）（Vz）:11V 容差:±5% 功率 - 最大值:1W 阻抗（最大值）（Zzt）:8 歐姆不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:10μA @ 8.4V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.2V @ 200mA 工作溫度:-55°C ~ 175°C 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:DO-213AB，MELF 供應(yīng)商器件封裝:DO-213AB（MELF，LL41）標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 JAN1N3023CUR-1 JAN1N3023D-1 JAN1N3023DUR-1 JAN1N3024B-1 JAN1N3024BUR-1 JAN1N3024C-1 JAN1N3024CUR-1 JAN1N3024D-1 JAN1N3024DUR-1 JAN1N3025B-1 JAN1N3025BUR-1 JAN1N3025C-1 JAN1N3025CUR-1 JAN1N3025D-1 JAN1N3025DUR-1 JAN1N3026B-1 JAN1N3026BUR-1 JAN1N3026C-1