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JAN1N3822CUR-1

配單專家企業名單
  • 型號
  • 供應商
  • 數量
  • 廠商
  • 封裝
  • 批號
  • 價格
  • 說明
  • 操作
  • JAN1N3822CUR-1
    JAN1N3822CUR-1

    JAN1N3822CUR-1

  • 深圳市思諾康科技有限公司
    深圳市思諾康科技有限公司

    聯系人:張小姐/Vivianvi

    電話:0755-83286481

    地址:坂田街道東坡路3號萬致天地商業中心(A塔)1棟一單元1602

  • 9900

  • Microchip Technology

  • DO-213AB

  • 23+

  • -
  • 微芯專營優勢產品

  • 1/1頁 40條/頁 共40條 
  • 1
JAN1N3822CUR-1 PDF下載 圖文及資料僅供參考,以實際PDF為準
  • 功能描述
  • Zener Diode 3.6V 1W ±2% Surface Mount DO-213AB (MELF, LL41)
  • 制造商
  • microsemi ire division
  • 系列
  • 軍用,MIL-PRF-19500/115
  • 包裝
  • 散裝
  • 零件狀態
  • 在售
  • 電壓 - 齊納(標稱值)(Vz)
  • 3.6V
  • 容差
  • ±2%
  • 功率 - 最大值
  • 1W
  • 阻抗(最大值)(Zzt)
  • 10 歐姆
  • 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流
  • 75μA @ 1V
  • 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf)
  • 1.2V @ 200mA
  • 工作溫度
  • -65°C ~ 175°C
  • 安裝類型
  • 表面貼裝
  • 封裝/外殼
  • DO-213AB,MELF
  • 供應商器件封裝
  • DO-213AB(MELF,LL41)
  • 標準包裝
  • 1
JAN1N3822CUR-1 技術參數
  • JAN1N3822C-1 功能描述:Zener Diode 3.6V 1W ±2% Through Hole DO-41 制造商:microsemi ire division 系列:軍用,MIL-PRF-19500/115 包裝:散裝 零件狀態:在售 電壓 - 齊納(標稱值)(Vz):3.6V 容差:±2% 功率 - 最大值:1W 阻抗(最大值)(Zzt):10 歐姆 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:75μA @ 1V 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf):1.2V @ 200mA 工作溫度:-65°C ~ 175°C 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AL,DO-41,軸向 供應商器件封裝:DO-41 標準包裝:1 JAN1N3822AUR-1 功能描述:Zener Diode 3.6V 1W ±5% Surface Mount DO-213AB (MELF, LL41) 制造商:microsemi ire division 系列:軍用,MIL-PRF-19500/115 包裝:散裝 零件狀態:在售 電壓 - 齊納(標稱值)(Vz):3.6V 容差:±5% 功率 - 最大值:1W 阻抗(最大值)(Zzt):10 歐姆 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:75μA @ 1V 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf):1.2V @ 200mA 工作溫度:-65°C ~ 175°C 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:DO-213AB,MELF 供應商器件封裝:DO-213AB(MELF,LL41) 標準包裝:1 JAN1N3822A-1 功能描述:Zener Diode 3.6V 1W ±5% Through Hole DO-41 制造商:microsemi ire division 系列:軍用,MIL-PRF-19500/115 包裝:散裝 零件狀態:在售 電壓 - 齊納(標稱值)(Vz):3.6V 容差:±5% 功率 - 最大值:1W 阻抗(最大值)(Zzt):10 歐姆 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:75μA @ 1V 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf):1.2V @ 200mA 工作溫度:-65°C ~ 175°C 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AL,DO-41,軸向 供應商器件封裝:DO-41 標準包裝:1 JAN1N3821DUR-1 功能描述:Zener Diode 3.3V 1W ±1% Surface Mount DO-213AB (MELF, LL41) 制造商:microsemi ire division 系列:軍用,MIL-PRF-19500/115 包裝:散裝 零件狀態:在售 電壓 - 齊納(標稱值)(Vz):3.3V 容差:±1% 功率 - 最大值:1W 阻抗(最大值)(Zzt):10 歐姆 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:100μA @ 1V 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf):1.2V @ 200mA 工作溫度:-65°C ~ 175°C 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:DO-213AB,MELF 供應商器件封裝:DO-213AB(MELF,LL41) 標準包裝:1 JAN1N3821D-1 功能描述:Zener Diode 3.3V 1W ±1% Through Hole DO-41 制造商:microsemi ire division 系列:軍用,MIL-PRF-19500/115 包裝:散裝 零件狀態:在售 電壓 - 齊納(標稱值)(Vz):3.3V 容差:±1% 功率 - 最大值:1W 阻抗(最大值)(Zzt):10 歐姆 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:100μA @ 1V 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf):1.2V @ 200mA 工作溫度:-65°C ~ 175°C 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AL,DO-41,軸向 供應商器件封裝:DO-41 標準包裝:1 JAN1N3824AUR-1 JAN1N3824C-1 JAN1N3824CUR-1 JAN1N3824D-1 JAN1N3824DUR-1 JAN1N3825A-1 JAN1N3825AUR-1 JAN1N3825C-1 JAN1N3825CUR-1 JAN1N3825D-1 JAN1N3825DUR-1 JAN1N3826A-1 JAN1N3826AUR-1 JAN1N3826C-1 JAN1N3826CUR-1 JAN1N3826D-1 JAN1N3826DUR-1 JAN1N3827A-1
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