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JAN1N3824A-JX

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制造商
siemens
功能描述
diode gold IN STOCK

JAN1N3824A-JX 技術參數

JAN1N3824A-1 功能描述:Zener Diode 4.3V 1W ±5% Through Hole DO-41 制造商:microsemi ire division 系列:軍用，MIL-PRF-19500/115 包裝:散裝零件狀態:在售電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:4.3V 容差:±5% 功率 - 最大值:1W 阻抗（最大值）（Zzt）:9 歐姆不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:5μA @ 1V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.2V @ 200mA 工作溫度:-65°C ~ 175°C 安裝類型:通孔封裝/外殼:DO-204AL，DO-41，軸向供應商器件封裝:DO-41 標準包裝:1 JAN1N3823DUR-1 功能描述:Zener Diode 3.9V 1W ±1% Surface Mount DO-213AB (MELF, LL41) 制造商:microsemi ire division 系列:軍用，MIL-PRF-19500/115 包裝:散裝零件狀態:在售電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:3.9V 容差:±1% 功率 - 最大值:1W 阻抗（最大值）（Zzt）:9 歐姆不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:25μA @ 1V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.2V @ 200mA 工作溫度:-65°C ~ 175°C 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:DO-213AB，MELF 供應商器件封裝:DO-213AB（MELF，LL41）標準包裝:1 JAN1N3823D-1 功能描述:Zener Diode 3.9V 1W ±1% Through Hole DO-41 制造商:microsemi ire division 系列:軍用，MIL-PRF-19500/115 包裝:散裝零件狀態:在售電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:3.9V 容差:±1% 功率 - 最大值:1W 阻抗（最大值）（Zzt）:9 歐姆不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:25μA @ 1V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.2V @ 200mA 工作溫度:-65°C ~ 175°C 安裝類型:通孔封裝/外殼:DO-204AL，DO-41，軸向供應商器件封裝:DO-41 標準包裝:1 JAN1N3823CUR-1 功能描述:Zener Diode 3.9V 1W ±2% Surface Mount DO-213AB (MELF, LL41) 制造商:microsemi ire division 系列:軍用，MIL-PRF-19500/115 包裝:散裝零件狀態:在售電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:3.9V 容差:±2% 功率 - 最大值:1W 阻抗（最大值）（Zzt）:9 歐姆不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:25μA @ 1V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.2V @ 200mA 工作溫度:-65°C ~ 175°C 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:DO-213AB，MELF 供應商器件封裝:DO-213AB（MELF，LL41）標準包裝:1 JAN1N3823C-1 功能描述:Zener Diode 3.9V 1W ±2% Through Hole DO-41 制造商:microsemi ire division 系列:軍用，MIL-PRF-19500/115 包裝:散裝零件狀態:在售電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:3.9V 容差:±2% 功率 - 最大值:1W 阻抗（最大值）（Zzt）:9 歐姆不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:25μA @ 1V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.2V @ 200mA 工作溫度:-65°C ~ 175°C 安裝類型:通孔封裝/外殼:DO-204AL，DO-41，軸向供應商器件封裝:DO-41 標準包裝:1 JAN1N3825D-1 JAN1N3825DUR-1 JAN1N3826A-1 JAN1N3826AUR-1 JAN1N3826C-1 JAN1N3826CUR-1 JAN1N3826D-1 JAN1N3826DUR-1 JAN1N3827A-1 JAN1N3827AUR-1 JAN1N3827C-1 JAN1N3827CUR-1 JAN1N3827D-1 JAN1N3827DUR-1 JAN1N3828AUR-1 JAN1N3828C-1 JAN1N3828CUR-1 JAN1N3828D-1