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JAN1N4248AKK

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JAN1N4248AKK 技術參數

JAN1N4248 功能描述:Diode Standard 800V 1A Through Hole 制造商:microsemi ire division 系列:軍用，MIL-PRF-19500/286 包裝:散裝零件狀態:在售二極管類型:標準電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:800V 電流 - 平均整流（Io）:1A 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.3V @ 3A 速度:標準恢復 >500ns，> 200mA（Io）反向恢復時間（trr）:5μs 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:1μA @ 800V 不同?Vr，F 時的電容:- 安裝類型:通孔封裝/外殼:A，軸向供應商器件封裝:* 工作溫度 - 結:-65°C ~ 175°C 標準包裝:1 JAN1N4247 功能描述:Diode Standard 600V 1A Through Hole 制造商:microsemi ire division 系列:軍用，MIL-PRF-19500/286 包裝:散裝零件狀態:在售二極管類型:標準電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:600V 電流 - 平均整流（Io）:1A 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.3V @ 3A 速度:標準恢復 >500ns，> 200mA（Io）反向恢復時間（trr）:5μs 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:1μA @ 600V 不同?Vr，F 時的電容:- 安裝類型:通孔封裝/外殼:A，軸向供應商器件封裝:* 工作溫度 - 結:-65°C ~ 175°C 標準包裝:1 JAN1N4246 功能描述:Diode Standard 400V 1A Through Hole 制造商:microsemi ire division 系列:軍用，MIL-PRF-19500/286 包裝:散裝零件狀態:在售二極管類型:標準電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:400V 電流 - 平均整流（Io）:1A 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.3V @ 3A 速度:標準恢復 >500ns，> 200mA（Io）反向恢復時間（trr）:5μs 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:1μA @ 400V 不同?Vr，F 時的電容:- 安裝類型:通孔封裝/外殼:A，軸向供應商器件封裝:* 工作溫度 - 結:-65°C ~ 175°C 標準包裝:1 JAN1N4245 功能描述:Diode Standard 200V 1A Through Hole 制造商:microsemi ire division 系列:軍用，MIL-PRF-19500/286 包裝:散裝零件狀態:在售二極管類型:標準電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:200V 電流 - 平均整流（Io）:1A 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.3V @ 3A 速度:標準恢復 >500ns，> 200mA（Io）反向恢復時間（trr）:5μs 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:1μA @ 200V 不同?Vr，F 時的電容:- 安裝類型:通孔封裝/外殼:A，軸向供應商器件封裝:* 工作溫度 - 結:-65°C ~ 175°C 標準包裝:1 JAN1N4153-1 功能描述:Diode Standard 75V 150mA (DC) Through Hole DO-35 制造商:microsemi ire division 系列:軍用，MIL-PRF-19500/337 包裝:散裝零件狀態:在售二極管類型:標準電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:75V 電流 - 平均整流（Io）:150mA（DC）不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:880mV @ 20mA 速度:小信號 =< 200mA（Io），任意速度反向恢復時間（trr）:4ns 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:50nA @ 50V 不同?Vr，F 時的電容:2pF @ 0V，1MHz 安裝類型:通孔封裝/外殼:DO-204AH，DO-35，軸向供應商器件封裝:DO-35 工作溫度 - 結:-65°C ~ 175°C 標準包裝:1 JAN1N4371C-1 JAN1N4371CUR-1 JAN1N4371D-1 JAN1N4371DUR-1 JAN1N4372A-1 JAN1N4372AUR-1 JAN1N4372C-1 JAN1N4372CUR-1 JAN1N4372D-1 JAN1N4372DUR-1 JAN1N4454-1 JAN1N4454UR-1 JAN1N4458 JAN1N4458R JAN1N4459 JAN1N4459R JAN1N4460 JAN1N4460C