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JAN1N4454-1DAS

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JAN1N4454-1DAS 技術參數

JAN1N4454-1 功能描述:Diode Standard 50V 200mA Through Hole DO-35 制造商:microsemi ire division 系列:軍用，MIL-PRF-19500/144 包裝:散裝零件狀態:在售二極管類型:標準電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:50V 電流 - 平均整流（Io）:200mA 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1V @ 10mA 速度:小信號 =< 200mA（Io），任意速度反向恢復時間（trr）:4ns 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:100nA @ 50V 不同?Vr，F 時的電容:- 安裝類型:通孔封裝/外殼:DO-204AH，DO-35，軸向供應商器件封裝:DO-35 工作溫度 - 結:-55°C ~ 175°C 標準包裝:1 JAN1N4372DUR-1 功能描述:Zener Diode 3V ±1% Surface Mount DO-213AA 制造商:microsemi ire division 系列:軍用，MIL-PRF-19500/127 包裝:散裝零件狀態:在售電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:3V 容差:±1% 功率 - 最大值:- 阻抗（最大值）（Zzt）:29 歐姆不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:30μA @ 1V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.1V @ 200mA 工作溫度:-65°C ~ 175°C 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:DO-213AA 供應商器件封裝:DO-213AA 標準包裝:1 JAN1N4372D-1 功能描述:Zener Diode 3V ±1% Through Hole DO-35 制造商:microsemi ire division 系列:軍用，MIL-PRF-19500/127 包裝:散裝零件狀態:在售電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:3V 容差:±1% 功率 - 最大值:- 阻抗（最大值）（Zzt）:29 歐姆不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:30μA @ 1V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.1V @ 200mA 工作溫度:-65°C ~ 175°C 安裝類型:通孔封裝/外殼:DO-204AH，DO-35，軸向供應商器件封裝:DO-35 標準包裝:1 JAN1N4372CUR-1 功能描述:Zener Diode 3V ±2% Surface Mount DO-213AA 制造商:microsemi ire division 系列:軍用，MIL-PRF-19500/127 包裝:散裝零件狀態:在售電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:3V 容差:±2% 功率 - 最大值:- 阻抗（最大值）（Zzt）:29 歐姆不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:30μA @ 1V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.1V @ 200mA 工作溫度:-65°C ~ 175°C 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:DO-213AA 供應商器件封裝:DO-213AA 標準包裝:1 JAN1N4372C-1 功能描述:Zener Diode 3V ±2% Through Hole DO-35 制造商:microsemi ire division 系列:軍用，MIL-PRF-19500/127 包裝:散裝零件狀態:在售電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:3V 容差:±2% 功率 - 最大值:- 阻抗（最大值）（Zzt）:29 歐姆不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:30μA @ 1V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.1V @ 200mA 工作溫度:-65°C ~ 175°C 安裝類型:通孔封裝/外殼:DO-204AH，DO-35，軸向供應商器件封裝:DO-35 標準包裝:1 JAN1N4460DUS JAN1N4460US JAN1N4461 JAN1N4461C JAN1N4461CUS JAN1N4461D JAN1N4461DUS JAN1N4461US JAN1N4462 JAN1N4462C JAN1N4462CUS JAN1N4462D JAN1N4462DUS JAN1N4462US JAN1N4463 JAN1N4463C JAN1N4463CUS JAN1N4463D