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JAN1N5521CUR-1

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  • 型號
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  • JAN1N5521CUR-1
    JAN1N5521CUR-1

    JAN1N5521CUR-1

  • 深圳市思諾康科技有限公司
    深圳市思諾康科技有限公司

    聯(lián)系人:張小姐/Vivianvi

    電話:0755-83286481

    地址:坂田街道東坡路3號萬致天地商業(yè)中心(A塔)1棟一單元1602

  • 9900

  • Microchip Technology

  • DO-213AA

  • 23+

  • -
  • 微芯專營優(yōu)勢產(chǎn)品

  • 1/1頁 40條/頁 共1條 
  • 1
JAN1N5521CUR-1 PDF下載 圖文及資料僅供參考,以實際PDF為準
  • 功能描述
  • Zener Diode 4.3V 500mW ±2% Surface Mount
  • 制造商
  • microsemi ire division
  • 系列
  • 軍用,MIL-PRF-19500/437
  • 包裝
  • 散裝
  • 零件狀態(tài)
  • 在售
  • 電壓 - 齊納(標稱值)(Vz)
  • 4.3V
  • 容差
  • ±2%
  • 功率 - 最大值
  • 500mW
  • 阻抗(最大值)(Zzt)
  • 18 歐姆
  • 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流
  • 3μA @ 1.5V
  • 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf)
  • 1.1V @ 200mA
  • 工作溫度
  • -65°C ~ 175°C
  • 安裝類型
  • 表面貼裝
  • 封裝/外殼
  • DO-213AA(玻璃)
  • 供應商器件封裝
  • *
  • 標準包裝
  • 1
JAN1N5521CUR-1 技術(shù)參數(shù)
  • JAN1N5521C-1 功能描述:Zener Diode 4.3V 500mW ±2% Through Hole DO-35 (DO-204AH) 制造商:microsemi ire division 系列:軍用,MIL-PRF-19500/437 包裝:散裝 零件狀態(tài):在售 電壓 - 齊納(標稱值)(Vz):4.3V 容差:±2% 功率 - 最大值:500mW 阻抗(最大值)(Zzt):18 歐姆 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:3μA @ 1.5V 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf):1.1V @ 200mA 工作溫度:-65°C ~ 175°C 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AH,DO-35,軸向 供應商器件封裝:DO-35(DO-204AH) 標準包裝:1 JAN1N5521BUR-1 功能描述:Zener Diode 4.3V 500mW ±5% Surface Mount 制造商:microsemi ire division 系列:軍用,MIL-PRF-19500/437 包裝:散裝 零件狀態(tài):在售 電壓 - 齊納(標稱值)(Vz):4.3V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗(最大值)(Zzt):18 歐姆 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:3μA @ 1.5V 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf):1.1V @ 200mA 工作溫度:-65°C ~ 175°C 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:DO-213AA(玻璃) 供應商器件封裝:* 標準包裝:1 JAN1N5521B-1 功能描述:Zener Diode 4.3V 500mW ±5% Through Hole DO-35 (DO-204AH) 制造商:microsemi ire division 系列:軍用,MIL-PRF-19500/437 包裝:散裝 零件狀態(tài):在售 電壓 - 齊納(標稱值)(Vz):4.3V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗(最大值)(Zzt):18 歐姆 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:3μA @ 1.5V 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf):1.1V @ 200mA 工作溫度:-65°C ~ 175°C 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AH,DO-35,軸向 供應商器件封裝:DO-35(DO-204AH) 標準包裝:1 JAN1N5520DUR-1 功能描述:Zener Diode 3.9V 500mW ±1% Surface Mount 制造商:microsemi ire division 系列:軍用,MIL-PRF-19500/437 包裝:散裝 零件狀態(tài):在售 電壓 - 齊納(標稱值)(Vz):3.9V 容差:±1% 功率 - 最大值:500mW 阻抗(最大值)(Zzt):22 歐姆 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:1μA @ 1V 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf):1.1V @ 200mA 工作溫度:-65°C ~ 175°C 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:DO-213AA(玻璃) 供應商器件封裝:* 標準包裝:1 JAN1N5520D-1 功能描述:Zener Diode 3.9V 500mW ±1% Through Hole DO-35 (DO-204AH) 制造商:microsemi ire division 系列:軍用,MIL-PRF-19500/437 包裝:散裝 零件狀態(tài):在售 電壓 - 齊納(標稱值)(Vz):3.9V 容差:±1% 功率 - 最大值:500mW 阻抗(最大值)(Zzt):22 歐姆 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:1μA @ 1V 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf):1.1V @ 200mA 工作溫度:-65°C ~ 175°C 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AH,DO-35,軸向 供應商器件封裝:DO-35(DO-204AH) 標準包裝:1 JAN1N5523BUR-1 JAN1N5523C-1 JAN1N5523CUR-1 JAN1N5523D-1 JAN1N5523DUR-1 JAN1N5524B-1 JAN1N5524BUR-1 JAN1N5524C-1 JAN1N5524CUR-1 JAN1N5524D-1 JAN1N5524DUR-1 JAN1N5525B-1 JAN1N5525BUR-1 JAN1N5525C-1 JAN1N5525CUR-1 JAN1N5525D-1 JAN1N5525DUR-1 JAN1N5526B-1
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