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JAN1N5530C-1

配單專家企業名單
  • 型號
  • 供應商
  • 數量
  • 廠商
  • 封裝
  • 批號
  • 價格
  • 說明
  • 操作
  • JAN1N5530C-1
    JAN1N5530C-1

    JAN1N5530C-1

  • 深圳市思諾康科技有限公司
    深圳市思諾康科技有限公司

    聯系人:張小姐/Vivianvi

    電話:0755-83286481

    地址:坂田街道東坡路3號萬致天地商業中心(A塔)1棟一單元1602

  • 9900

  • Microchip Technology

  • DO-204AH

  • 23+

  • -
  • 微芯專營優勢產品

  • 1/1頁 40條/頁 共1條 
  • 1
JAN1N5530C-1 PDF下載 圖文及資料僅供參考,以實際PDF為準
  • 功能描述
  • Zener Diode 10V 500mW ±2% Through Hole DO-35 (DO-204AH)
  • 制造商
  • microsemi ire division
  • 系列
  • 軍用,MIL-PRF-19500/437
  • 包裝
  • 散裝
  • 零件狀態
  • 在售
  • 電壓 - 齊納(標稱值)(Vz)
  • 10V
  • 容差
  • ±2%
  • 功率 - 最大值
  • 500mW
  • 阻抗(最大值)(Zzt)
  • 60 歐姆
  • 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流
  • 50nA @ 9.1V
  • 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf)
  • 1.1V @ 200mA
  • 工作溫度
  • -65°C ~ 175°C
  • 安裝類型
  • 通孔
  • 封裝/外殼
  • DO-204AH,DO-35,軸向
  • 供應商器件封裝
  • DO-35(DO-204AH)
  • 標準包裝
  • 1
JAN1N5530C-1 技術參數
  • JAN1N5530BUR-1 功能描述:Zener Diode 10V 500mW ±5% Surface Mount 制造商:microsemi ire division 系列:軍用,MIL-PRF-19500/437 包裝:散裝 零件狀態:在售 電壓 - 齊納(標稱值)(Vz):10V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗(最大值)(Zzt):60 歐姆 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:50nA @ 9.1V 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf):1.1V @ 200mA 工作溫度:-65°C ~ 175°C 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:DO-213AA(玻璃) 供應商器件封裝:* 標準包裝:1 JAN1N5530B-1 功能描述:Zener Diode 10V 500mW ±5% Through Hole DO-35 (DO-204AH) 制造商:microsemi ire division 系列:軍用,MIL-PRF-19500/437 包裝:散裝 零件狀態:在售 電壓 - 齊納(標稱值)(Vz):10V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗(最大值)(Zzt):60 歐姆 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:50nA @ 9.1V 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf):1.1V @ 200mA 工作溫度:-65°C ~ 175°C 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AH,DO-35,軸向 供應商器件封裝:DO-35(DO-204AH) 標準包裝:1 JAN1N5529DUR-1 功能描述:Zener Diode 9.1V 500mW ±1% Surface Mount 制造商:microsemi ire division 系列:軍用,MIL-PRF-19500/437 包裝:散裝 零件狀態:在售 電壓 - 齊納(標稱值)(Vz):9.1V 容差:±1% 功率 - 最大值:500mW 阻抗(最大值)(Zzt):45 歐姆 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:100nA @ 8.2V 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf):1.1V @ 200mA 工作溫度:-65°C ~ 175°C 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:DO-213AA(玻璃) 供應商器件封裝:* 標準包裝:1 JAN1N5529D-1 功能描述:Zener Diode 9.1V 500mW ±1% Through Hole DO-35 (DO-204AH) 制造商:microsemi ire division 系列:軍用,MIL-PRF-19500/437 包裝:散裝 零件狀態:在售 電壓 - 齊納(標稱值)(Vz):9.1V 容差:±1% 功率 - 最大值:500mW 阻抗(最大值)(Zzt):45 歐姆 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:100nA @ 8.2V 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf):1.1V @ 200mA 工作溫度:-65°C ~ 175°C 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AH,DO-35,軸向 供應商器件封裝:DO-35(DO-204AH) 標準包裝:1 JAN1N5529CUR-1 功能描述:Zener Diode 9.1V 500mW ±2% Surface Mount 制造商:microsemi ire division 系列:軍用,MIL-PRF-19500/437 包裝:散裝 零件狀態:在售 電壓 - 齊納(標稱值)(Vz):9.1V 容差:±2% 功率 - 最大值:500mW 阻抗(最大值)(Zzt):45 歐姆 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:100nA @ 8.2V 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf):1.1V @ 200mA 工作溫度:-65°C ~ 175°C 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:DO-213AA(玻璃) 供應商器件封裝:* 標準包裝:1 JAN1N5532B-1 JAN1N5532BUR-1 JAN1N5532C-1 JAN1N5532CUR-1 JAN1N5532D-1 JAN1N5532DUR-1 JAN1N5533B-1 JAN1N5533BUR-1 JAN1N5533C-1 JAN1N5533CUR-1 JAN1N5533D-1 JAN1N5533DUR-1 JAN1N5534B-1 JAN1N5534BUR-1 JAN1N5534C-1 JAN1N5534CUR-1 JAN1N5534D-1 JAN1N5534DUR-1
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