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JAN1N5804URS

配單專家企業(yè)名單

型號
供應商
數量
廠商
封裝
批號
價格
說明
操作

JAN1N5804URS
深圳市思諾康科技有限公司
深圳市思諾康科技有限公司
聯(lián)系人：張小姐/Vivianvi
電話：0755-83286481
地址：坂田街道東坡路3號萬致天地商業(yè)中心（A塔）1棟一單元1602
9900
Microchip Technology
SQ-MELF
23+
-
微芯專營優(yōu)勢產品

JAN1N5804URS/TR
深圳市芯脈實業(yè)有限公司
深圳市芯脈實業(yè)有限公司
聯(lián)系人：高先生/周小姐/曹先生
電話：185208051481376027201713487865852
地址：深圳市龍崗區(qū)坂田街道南坑社區(qū)雅寶路1號星河WORLDA2203A室
23444
Microchip Technology
SQ-MELF, A
25+
-
全球渠道、原廠正品、信譽保障、閃電發(fā)貨

JAN1N5804URS
深圳市芯脈實業(yè)有限公司
深圳市芯脈實業(yè)有限公司
聯(lián)系人：高先生/曹先生/周小姐
電話：185208051481348786585213760272017
地址：深圳市龍崗區(qū)坂田街道南坑社區(qū)雅寶路1號星河WORLDA2203A室
74439
Microchip / Microsemi
D-5A-2
25+
-
全球渠道、原廠正品、信譽保障、閃電發(fā)貨

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功能描述
Diode Standard 100V 1A Surface Mount A-MELF
制造商
microsemi ire division
系列
軍用，MIL-PRF-19500/477
包裝
散裝
零件狀態(tài)
在售
二極管類型
標準
電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）
100V
電流 - 平均整流（Io）
1A
不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）
875mV @ 1A
速度
快速恢復 = 200mA（Io）
反向恢復時間（trr）
25ns
不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流
1μA @ 100V
不同?Vr，F(xiàn) 時的電容
25pF @ 10V，1MHz
安裝類型
表面貼裝
封裝/外殼
SQ-MELF，A
供應商器件封裝
A-MELF
工作溫度 - 結
-65°C ~ 175°C
標準包裝
1

JAN1N5804URS 技術參數

JAN1N5804 功能描述:Diode Standard 100V 2.5A Through Hole 制造商:microsemi ire division 系列:軍用，MIL-PRF-19500/477 包裝:散裝零件狀態(tài):在售二極管類型:標準電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:100V 電流 - 平均整流（Io）:2.5A 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:975mV @ 2.5A 速度:快速恢復 = 200mA（Io）反向恢復時間（trr）:25ns 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:1μA @ 100V 不同?Vr，F(xiàn) 時的電容:25pF @ 10V，1MHz 安裝類型:通孔封裝/外殼:A，軸向供應商器件封裝:* 工作溫度 - 結:-65°C ~ 175°C 標準包裝:1 JAN1N5802US 功能描述:Diode Standard 50V 2.5A Surface Mount D-5A 制造商:microsemi ire division 系列:軍用，MIL-PRF-19500/477 包裝:散裝零件狀態(tài):在售二極管類型:標準電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:50V 電流 - 平均整流（Io）:2.5A 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:975mV @ 2.5A 速度:快速恢復 = 200mA（Io）反向恢復時間（trr）:25ns 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:1μA @ 50V 不同?Vr，F(xiàn) 時的電容:25pF @ 10V，1MHz 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:SQ-MELF，A 供應商器件封裝:D-5A 工作溫度 - 結:-65°C ~ 175°C 標準包裝:1 JAN1N5802URS 功能描述:Diode Standard 50V 1A Surface Mount D-5A 制造商:microsemi ire division 系列:軍用，MIL-PRF-19500/477 包裝:散裝零件狀態(tài):在售二極管類型:標準電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:50V 電流 - 平均整流（Io）:1A 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:875mV @ 1A 速度:快速恢復 = 200mA（Io）反向恢復時間（trr）:25ns 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:1μA @ 50V 不同?Vr，F(xiàn) 時的電容:25pF @ 10V，1MHz 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:SQ-MELF，A 供應商器件封裝:D-5A 工作溫度 - 結:-65°C ~ 175°C 標準包裝:1 JAN1N5802 功能描述:Diode Standard 50V 2.5A Through Hole 制造商:microsemi ire division 系列:軍用，MIL-PRF-19500/477 包裝:散裝零件狀態(tài):在售二極管類型:標準電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:50V 電流 - 平均整流（Io）:2.5A 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:975mV @ 2.5A 速度:快速恢復 = 200mA（Io）反向恢復時間（trr）:25ns 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:1μA @ 50V 不同?Vr，F(xiàn) 時的電容:25pF @ 10V，1MHz 安裝類型:通孔封裝/外殼:A，軸向供應商器件封裝:* 工作溫度 - 結:-65°C ~ 175°C 標準包裝:1 JAN1N5711UR-1 功能描述:Diode Schottky 70V 33mA Surface Mount DO-213AA 制造商:microsemi ire division 系列:軍用，MIL-PRF-19500/444 包裝:散裝零件狀態(tài):在售二極管類型:肖特基電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:70V 電流 - 平均整流（Io）:33mA 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1V @ 15mA 速度:小信號 =< 200mA（Io），任意速度反向恢復時間（trr）:- 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:200nA @ 50V 不同?Vr，F(xiàn) 時的電容:2pF @ 0V，1MHz 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:DO-213AA 供應商器件封裝:DO-213AA 工作溫度 - 結:-65°C ~ 150°C 標準包裝:1 JAN1N5809US JAN1N5811 JAN1N5811URS JAN1N5811US JAN1N5814 JAN1N5816 JAN1N5819-1 JAN1N5819UR-1 JAN1N5819UR-1/TR JAN1N5822 JAN1N5907 JAN1N5968 JAN1N6036A JAN1N6039A JAN1N6043A JAN1N6044A JAN1N6045A JAN1N6047A