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JAN1N6319D

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操作

JAN1N6319D
深圳市思諾康科技有限公司
深圳市思諾康科技有限公司
聯系人：張小姐/Vivianvi
電話：0755-83286481
地址：坂田街道東坡路3號萬致天地商業中心（A塔）1棟一單元1602
9900
Microchip Technology
DO-204AH
23+
-
微芯專營優勢產品

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JAN1N6319D PDF下載 圖文及資料僅供參考，以實際PDF為準

JAN1N6319D 技術參數

JAN1N6317US 功能描述:Zener Diode 5.1V 500mW ±5% Through Hole DO-35 制造商:microsemi ire division 系列:軍用，MIL-PRF-19500/533 包裝:散裝零件狀態:在售電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:5.1V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:14 歐姆不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:5μA @ 2V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.4V @ 1A 工作溫度:-65°C ~ 175°C 安裝類型:通孔封裝/外殼:DO-204AH，DO-35，軸向供應商器件封裝:DO-35 標準包裝:1 JAN1N6317 功能描述:Zener Diode 5.1V 500mW ±1% Through Hole DO-35 制造商:microsemi ire division 系列:軍用，MIL-PRF-19500/533 包裝:散裝零件狀態:在售電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:5.1V 容差:±1% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:14 歐姆不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:5μA @ 2V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.4V @ 1A 工作溫度:-65°C ~ 175°C 安裝類型:通孔封裝/外殼:DO-204AH，DO-35，軸向供應商器件封裝:DO-35 標準包裝:1 JAN1N6312US 功能描述:Zener Diode 3.3V 500mW ±5% Through Hole DO-35 制造商:microsemi ire division 系列:軍用，MIL-PRF-19500/533 包裝:散裝零件狀態:在售電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:3.3V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:27 歐姆不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:5μA @ 1V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.4V @ 1A 工作溫度:-65°C ~ 175°C 安裝類型:通孔封裝/外殼:DO-204AH，DO-35，軸向供應商器件封裝:DO-35 標準包裝:1 JAN1N6173US 功能描述:TVS DIODE 152VWM 286.65VC CPKG 制造商:microsemi ire division 系列:軍用，MIL-PRF-19500/516 包裝:散裝零件狀態:在售類型:齊納單向通道:- 雙向通道:1 電壓 - 反向關態（典型值）:152V 電壓 - 擊穿（最小值）:180.5V 電壓 - 箝位（最大值）@ Ipp:286.65V 電流 - 峰值脈沖（10/1000μs）:5.23A 功率 - 峰值脈沖:1500W（1.5kW）電源線路保護:無應用:通用不同頻率時的電容:- 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:SQ-MELF，C 供應商器件封裝:C，SQ-MELF 標準包裝:1 JAN1N6173AUS 功能描述:TVS DIODE 152VWM 273VC CPKG 制造商:microsemi ire division 系列:軍用，MIL-PRF-19500/516 包裝:散裝零件狀態:在售類型:齊納單向通道:- 雙向通道:1 電壓 - 反向關態（典型值）:152V 電壓 - 擊穿（最小值）:190V 電壓 - 箝位（最大值）@ Ipp:273V 電流 - 峰值脈沖（10/1000μs）:5.5A 功率 - 峰值脈沖:1500W（1.5kW）電源線路保護:無應用:通用不同頻率時的電容:- 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:SQ-MELF，C 供應商器件封裝:C，SQ-MELF 標準包裝:1 JAN1N6321 JAN1N6321US JAN1N6322 JAN1N6322US JAN1N6323 JAN1N6323US JAN1N6324 JAN1N6324C JAN1N6324US JAN1N6325 JAN1N6325US JAN1N6326 JAN1N6326US JAN1N6327 JAN1N6327C JAN1N6327US JAN1N6328 JAN1N6328C