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JAN1N6351

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  • 型號
  • 供應(yīng)商
  • 數(shù)量
  • 廠商
  • 封裝
  • 批號
  • 價格
  • 說明
  • 操作
  • JAN1N6351
    JAN1N6351

    JAN1N6351

  • 深圳市思諾康科技有限公司
    深圳市思諾康科技有限公司

    聯(lián)系人:張小姐/Vivianvi

    電話:0755-83286481

    地址:坂田街道東坡路3號萬致天地商業(yè)中心(A塔)1棟一單元1602

  • 9900

  • Microchip Technology

  • DO-204AH

  • 23+

  • -
  • 微芯專營優(yōu)勢產(chǎn)品

  • JAN1N6351DUS/TR
    JAN1N6351DUS/TR

    JAN1N6351DUS/TR

  • 深圳市芯脈實業(yè)有限公司
    深圳市芯脈實業(yè)有限公司

    聯(lián)系人:高先生/周小姐/曹先生

    電話:185208051481376027201713487865852

    地址:深圳市龍崗區(qū)坂田街道南坑社區(qū)雅寶路1號星河WORLDA2203A室

  • 55118

  • Microchip Technology

  • SQ-MELF, B

  • 25+

  • -
  • 全球渠道、原廠正品、信譽保障、閃電發(fā)貨

  • JAN1N6351
    JAN1N6351

    JAN1N6351

  • 深圳市芯脈實業(yè)有限公司
    深圳市芯脈實業(yè)有限公司

    聯(lián)系人:高先生/曹先生/周小姐

    電話:185208051481348786585213760272017

    地址:深圳市龍崗區(qū)坂田街道南坑社區(qū)雅寶路1號星河WORLDA2203A室

  • 43302

  • Microchip / Microsemi

  • DO-35-2

  • 25+

  • -
  • 全球渠道、原廠正品、信譽保障、閃電發(fā)貨

  • 1/1頁 40條/頁 共40條 
  • 1
JAN1N6351 PDF下載 圖文及資料僅供參考,以實際PDF為準(zhǔn)
  • 制造商
  • Microsemi Corporation
  • 功能描述
  • ZENER VOLTAGE REGULATOR DIODE - Bulk
JAN1N6351 技術(shù)參數(shù)
  • JAN1N6350 功能描述:Zener Diode 120V 500mW ±5% Through Hole DO-35 制造商:microsemi ire division 系列:軍用,MIL-PRF-19500/533 包裝:散裝 零件狀態(tài):在售 電壓 - 齊納(標(biāo)稱值)(Vz):120V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗(最大值)(Zzt):600 歐姆 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:50nA @ 91V 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf):1.4V @ 1A 工作溫度:-65°C ~ 175°C 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AH,DO-35,軸向 供應(yīng)商器件封裝:DO-35 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 JAN1N6349 功能描述:Zener Diode 110V 500mW ±5% Through Hole DO-35 制造商:microsemi ire division 系列:軍用,MIL-PRF-19500/533 包裝:散裝 零件狀態(tài):在售 電壓 - 齊納(標(biāo)稱值)(Vz):110V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗(最大值)(Zzt):500 歐姆 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:50nA @ 84V 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf):1.4V @ 1A 工作溫度:-65°C ~ 175°C 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AH,DO-35,軸向 供應(yīng)商器件封裝:DO-35 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 JAN1N6347 功能描述:Zener Diode 91V 500mW ±5% Through Hole DO-35 制造商:microsemi ire division 系列:軍用,MIL-PRF-19500/533 包裝:散裝 零件狀態(tài):在售 電壓 - 齊納(標(biāo)稱值)(Vz):91V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗(最大值)(Zzt):270 歐姆 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:50nA @ 69V 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf):1.4V @ 1A 工作溫度:-65°C ~ 175°C 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AH,DO-35,軸向 供應(yīng)商器件封裝:DO-35 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 JAN1N6346 功能描述:Zener Diode 82V 500mW ±5% Through Hole DO-35 制造商:microsemi ire division 系列:軍用,MIL-PRF-19500/533 包裝:散裝 零件狀態(tài):在售 電壓 - 齊納(標(biāo)稱值)(Vz):82V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗(最大值)(Zzt):220 歐姆 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:50nA @ 62V 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf):1.4V @ 1A 工作溫度:-65°C ~ 175°C 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AH,DO-35,軸向 供應(yīng)商器件封裝:DO-35 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 JAN1N6345US 功能描述:Zener Diode 75V 500mW ±5% Surface Mount B, SQ-MELF 制造商:microsemi ire division 系列:軍用,MIL-PRF-19500/533 包裝:散裝 零件狀態(tài):在售 電壓 - 齊納(標(biāo)稱值)(Vz):75V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗(最大值)(Zzt):180 歐姆 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:50nA @ 56V 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf):1.4V @ 1A 工作溫度:-65°C ~ 175°C 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:SQ-MELF,B 供應(yīng)商器件封裝:B,SQ-MELF 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 JAN1N6463US JAN1N6464 JAN1N6464US JAN1N6465 JAN1N6465US JAN1N6466 JAN1N6466US JAN1N6467 JAN1N6467US JAN1N6468 JAN1N6468US JAN1N6469 JAN1N6469US JAN1N6470 JAN1N6470US JAN1N6471 JAN1N647-1 JAN1N6471US
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