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JAN1N754CUR-1

配單專家企業(yè)名單

型號
供應(yīng)商
數(shù)量
廠商
封裝
批號
價格
說明
操作

JAN1N754CUR-1
深圳市思諾康科技有限公司
深圳市思諾康科技有限公司
聯(lián)系人：張小姐/Vivianvi
電話：0755-83286481
地址：坂田街道東坡路3號萬致天地商業(yè)中心（A塔）1棟一單元1602
9900
Microchip Technology
DO-213AA
23+
-
微芯專營優(yōu)勢產(chǎn)品

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JAN1N754CUR-1 PDF下載

功能描述
Zener Diode 6.8V 500mW ±2% Surface Mount DO-213AA
制造商
microsemi ire division
系列
軍用，MIL-PRF-19500/127
包裝
散裝
零件狀態(tài)
在售
電壓 - 齊納（標(biāo)稱值）（Vz）
6.8V
容差
±2%
功率 - 最大值
500mW
阻抗（最大值）（Zzt）
5 歐姆
不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流
2μA @ 4V
不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）
1.1V @ 200mA
工作溫度
-65°C ~ 175°C
安裝類型
表面貼裝
封裝/外殼
DO-213AA（玻璃）
供應(yīng)商器件封裝
DO-213AA
標(biāo)準(zhǔn)包裝
1

JAN1N754CUR-1 技術(shù)參數(shù)

JAN1N754C-1 功能描述:Zener Diode 6.8V 500mW ±2% Through Hole DO-35 制造商:microsemi ire division 系列:軍用，MIL-PRF-19500/127 包裝:散裝零件狀態(tài):在售電壓 - 齊納（標(biāo)稱值）（Vz）:6.8V 容差:±2% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:5 歐姆不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:2μA @ 4V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.1V @ 200mA 工作溫度:-65°C ~ 175°C 安裝類型:通孔封裝/外殼:DO-204AH，DO-35，軸向供應(yīng)商器件封裝:DO-35 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 JAN1N754AUR-1 功能描述:Zener Diode 6.8V 500mW ±5% Surface Mount DO-213AA 制造商:microsemi ire division 系列:軍用，MIL-PRF-19500/127 包裝:散裝零件狀態(tài):在售電壓 - 齊納（標(biāo)稱值）（Vz）:6.8V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:5 歐姆不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:2μA @ 4V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.1V @ 200mA 工作溫度:-65°C ~ 175°C 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:DO-213AA（玻璃）供應(yīng)商器件封裝:DO-213AA 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 JAN1N754A-1 功能描述:Zener Diode 6.8V 500mW ±5% Through Hole DO-35 制造商:microsemi ire division 系列:- 包裝:散裝零件狀態(tài):在售電壓 - 齊納（標(biāo)稱值）（Vz）:6.8V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:3 歐姆不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:2μA @ 4V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.1V @ 200mA 工作溫度:-65°C ~ 175°C 安裝類型:通孔封裝/外殼:DO-204AH，DO-35，軸向供應(yīng)商器件封裝:DO-35 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 JAN1N753DUR-1 功能描述:Zener Diode 6.2V 500mW ±1% Surface Mount DO-213AA 制造商:microsemi ire division 系列:軍用，MIL-PRF-19500/127 包裝:散裝零件狀態(tài):在售電壓 - 齊納（標(biāo)稱值）（Vz）:6.2V 容差:±1% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:7 歐姆不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:5μA @ 3.5V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.1V @ 200mA 工作溫度:-65°C ~ 175°C 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:DO-213AA（玻璃）供應(yīng)商器件封裝:DO-213AA 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 JAN1N753D-1 功能描述:Zener Diode 6.2V 500mW ±1% Through Hole DO-35 制造商:microsemi ire division 系列:軍用，MIL-PRF-19500/127 包裝:散裝零件狀態(tài):在售電壓 - 齊納（標(biāo)稱值）（Vz）:6.2V 容差:±1% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:7 歐姆不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:5μA @ 3.5V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.1V @ 200mA 工作溫度:-65°C ~ 175°C 安裝類型:通孔封裝/外殼:DO-204AH，DO-35，軸向供應(yīng)商器件封裝:DO-35 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 JAN1N756CUR-1 JAN1N756D-1 JAN1N756DUR-1 JAN1N757A-1 JAN1N757AUR-1 JAN1N757C-1 JAN1N757CUR-1 JAN1N757D-1 JAN1N757DUR-1 JAN1N758A-1 JAN1N758AUR-1 JAN1N758C-1 JAN1N758CUR-1 JAN1N758D-1 JAN1N758DUR-1 JAN1N759A-1 JAN1N759AUR-1 JAN1N759C-1