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JAN2N1309

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JAN2N1309
深圳市華芯盛世科技有限公司
深圳市華芯盛世科技有限公司
聯系人：唐先生
電話：0755-8322569219129381337（微信同號）
地址：廣東省深圳市福田區上步工業區201棟316室。
876500
TEXASINS
原廠封裝
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制造商
未知廠家
制造商全稱
未知廠家
功能描述
TRANSISTOR | BJT | PNP | 300MA I(C) | TO-5

JAN2N1309 技術參數

JAN2N1016D 功能描述:TRANS NPN 100V 7.5A 制造商:microsemi ire division 系列:* 零件狀態:在售標準包裝:1 JAN2N1016C 功能描述:TRANS NPN 150V 7.5A 制造商:microsemi ire division 系列:* 零件狀態:在售標準包裝:1 JAN2N1016B 功能描述:TRANS NPN 100V 7.5A 制造商:microsemi ire division 系列:* 零件狀態:在售標準包裝:1 JAN1N986DUR-1 功能描述:Zener Diode 110V 500mW ±1% Surface Mount DO-213AA 制造商:microsemi ire division 系列:軍用，MIL-PRF-19500/117 包裝:散裝零件狀態:在售電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:110V 容差:±1% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:750 歐姆不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:500nA @ 84V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.1V @ 200mA 工作溫度:-65°C ~ 175°C 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:DO-213AA（玻璃）供應商器件封裝:DO-213AA 標準包裝:1 JAN1N986D-1 功能描述:Zener Diode 110V 500mW ±1% Through Hole DO-35 (DO-204AH) 制造商:microsemi ire division 系列:軍用，MIL-PRF-19500/117 包裝:散裝零件狀態:在售電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:110V 容差:±1% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:750 歐姆不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:500nA @ 84V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.1V @ 200mA 工作溫度:-65°C ~ 175°C 安裝類型:通孔封裝/外殼:DO-204AH，DO-35，軸向供應商器件封裝:DO-35（DO-204AH）標準包裝:1 JAN2N2060L JAN2N2218 JAN2N2218A JAN2N2218AL JAN2N2219 JAN2N2219A JAN2N2219AL JAN2N2221A JAN2N2221AL JAN2N2221AUA JAN2N2221AUB JAN2N2222A JAN2N2222AL JAN2N2222AUA JAN2N2222AUB JAN2N2323 JAN2N2323A JAN2N2323AS