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JAN2N1313

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JAN2N1313 技術(shù)參數(shù)

JAN2N1016D 功能描述:TRANS NPN 100V 7.5A 制造商:microsemi ire division 系列:* 零件狀態(tài):在售標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 JAN2N1016C 功能描述:TRANS NPN 150V 7.5A 制造商:microsemi ire division 系列:* 零件狀態(tài):在售標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 JAN2N1016B 功能描述:TRANS NPN 100V 7.5A 制造商:microsemi ire division 系列:* 零件狀態(tài):在售標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 JAN1N986DUR-1 功能描述:Zener Diode 110V 500mW ±1% Surface Mount DO-213AA 制造商:microsemi ire division 系列:軍用，MIL-PRF-19500/117 包裝:散裝零件狀態(tài):在售電壓 - 齊納（標(biāo)稱(chēng)值）（Vz）:110V 容差:±1% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:750 歐姆不同?Vr 時(shí)的電流 - 反向漏電流:500nA @ 84V 不同 If 時(shí)的電壓 - 正向（Vf）:1.1V @ 200mA 工作溫度:-65°C ~ 175°C 安裝類(lèi)型:表面貼裝封裝/外殼:DO-213AA（玻璃）供應(yīng)商器件封裝:DO-213AA 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 JAN1N986D-1 功能描述:Zener Diode 110V 500mW ±1% Through Hole DO-35 (DO-204AH) 制造商:microsemi ire division 系列:軍用，MIL-PRF-19500/117 包裝:散裝零件狀態(tài):在售電壓 - 齊納（標(biāo)稱(chēng)值）（Vz）:110V 容差:±1% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:750 歐姆不同?Vr 時(shí)的電流 - 反向漏電流:500nA @ 84V 不同 If 時(shí)的電壓 - 正向（Vf）:1.1V @ 200mA 工作溫度:-65°C ~ 175°C 安裝類(lèi)型:通孔封裝/外殼:DO-204AH，DO-35，軸向供應(yīng)商器件封裝:DO-35（DO-204AH）標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 JAN2N2060L JAN2N2218 JAN2N2218A JAN2N2218AL JAN2N2219 JAN2N2219A JAN2N2219AL JAN2N2221A JAN2N2221AL JAN2N2221AUA JAN2N2221AUB JAN2N2222A JAN2N2222AL JAN2N2222AUA JAN2N2222AUB JAN2N2323 JAN2N2323A JAN2N2323AS