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JAN2N5015

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  • JAN2N5015
    JAN2N5015

    JAN2N5015

  • 深圳市時興宇電子有限公司
    深圳市時興宇電子有限公司

    聯系人:彭先生

    電話:0755-830415598397218513430523058

    地址:深圳市福田區華強北都會大廈A座19樓19G

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  • JAN2N5015
    JAN2N5015

    JAN2N5015

  • 北京首天偉業科技有限公司
    北京首天偉業科技有限公司

    聯系人:劉先生

    電話:010-6210493162104891621045786210643162104791

    地址: 廣東省深圳市福田區華強北街道電子科技大廈C座23E

    資質:營業執照

  • 10000

  • MOT

  • CAN3

  • 15+

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  • 百分百原裝假一罰十

  • JAN2N5015
    JAN2N5015

    JAN2N5015

  • 深圳市芯馳科技有限公司
    深圳市芯馳科技有限公司

    聯系人:丁皓鵬

    電話:1866538497818124166365

    地址:福田街道深南中路3029號南光捷佳大廈2331

    資質:營業執照

  • 20000

  • MICROSEMI

  • 原廠原裝

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  • 1
JAN2N5015 PDF下載 圖文及資料僅供參考,以實際PDF為準
  • 制造商
  • Microsemi Corporation
  • 功能描述
  • Trans GP BJT NPN 0.2A 3-Pin TO-5
  • 制造商
  • Microsemi Corporation
  • 功能描述
  • NPN TRANSISTOR - Bulk
JAN2N5015 技術參數
  • JAN2N5005 功能描述:TRANS PNP 80V 5A TO59 制造商:microsemi ire division 系列:軍用,MIL-PRF-19500/535 包裝:散裝 零件狀態:在售 晶體管類型:PNP 電流 - 集電極(Ic)(最大值):5A 電壓 - 集射極擊穿(最大值):80V 不同?Ib,Ic 時的?Vce 飽和值(最大值):1.5V @ 500mA,5A 電流 - 集電極截止(最大值):50μA 不同?Ic,Vce?時的 DC 電流增益(hFE)(最小值):70 @ 2.5A,5V 功率 - 最大值:2W 頻率 - 躍遷:- 工作溫度:-65°C ~ 200°C(TJ) 安裝類型:接線柱安裝 封裝/外殼:TO-210AA,TO-59-4,接線柱 供應商器件封裝:TO-59 標準包裝:1 JAN2N5004 功能描述:TRANS NPN 80V 5A TO59 制造商:microsemi ire division 系列:軍用,MIL-PRF-19500/534 包裝:散裝 零件狀態:在售 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極(Ic)(最大值):5A 電壓 - 集射極擊穿(最大值):80V 不同?Ib,Ic 時的?Vce 飽和值(最大值):1.5V @ 500mA,5A 電流 - 集電極截止(最大值):50μA 不同?Ic,Vce?時的 DC 電流增益(hFE)(最小值):70 @ 2.5A,5V 功率 - 最大值:2W 頻率 - 躍遷:- 工作溫度:-65°C ~ 200°C(TJ) 安裝類型:接線柱安裝 封裝/外殼:TO-210AA,TO-59-4,接線柱 供應商器件封裝:TO-59 標準包裝:1 JAN2N5003 功能描述:TRANS PNP 80V 5A TO59 制造商:microsemi ire division 系列:軍用,MIL-PRF-19500/535 包裝:散裝 零件狀態:在售 晶體管類型:PNP 電流 - 集電極(Ic)(最大值):5A 電壓 - 集射極擊穿(最大值):80V 不同?Ib,Ic 時的?Vce 飽和值(最大值):1.5V @ 500mA,5A 電流 - 集電極截止(最大值):50μA 不同?Ic,Vce?時的 DC 電流增益(hFE)(最小值):30 @ 2.5A,5V 功率 - 最大值:2W 頻率 - 躍遷:- 工作溫度:-65°C ~ 200°C(TJ) 安裝類型:接線柱安裝 封裝/外殼:TO-210AA,TO-59-4,接線柱 供應商器件封裝:TO-59 標準包裝:1 JAN2N5002 功能描述:TRANS NPN 80V 5A TO59 制造商:microsemi ire division 系列:軍用,MIL-PRF-19500/534 包裝:散裝 零件狀態:在售 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極(Ic)(最大值):5A 電壓 - 集射極擊穿(最大值):80V 不同?Ib,Ic 時的?Vce 飽和值(最大值):1.5V @ 500mA,5A 電流 - 集電極截止(最大值):50μA 不同?Ic,Vce?時的 DC 電流增益(hFE)(最小值):30 @ 2.5A,5V 功率 - 最大值:2W 頻率 - 躍遷:- 工作溫度:-65°C ~ 200°C(TJ) 安裝類型:接線柱安裝 封裝/外殼:TO-210AA,TO-59-4,接線柱 供應商器件封裝:TO-59 標準包裝:1 JAN2N4957UB 功能描述:RF Transistor PNP 30V 30mA 200mW Surface Mount UB 制造商:microsemi ire division 系列:- 包裝:散裝 零件狀態:在售 晶體管類型:PNP 電壓 - 集射極擊穿(最大值):30V 頻率 - 躍遷:- 噪聲系數(dB,不同 f 時的典型值):3.5dB @ 450MHz 增益:25dB 功率 - 最大值:200mW 不同?Ic,Vce?時的 DC 電流增益(hFE)(最小值):30 @ 5mA,10V 電流 - 集電極(Ic)(最大值):30mA 工作溫度:-65°C ~ 200°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:3-SMD,無引線 供應商器件封裝:UB 標準包裝:1 JAN2N5157 JAN2N5237 JAN2N5237S JAN2N5238 JAN2N5238S JAN2N5302 JAN2N5339 JAN2N5415 JAN2N5415S JAN2N5416 JAN2N5416S JAN2N5416UA JAN2N5581 JAN2N5582 JAN2N5662 JAN2N5663 JAN2N5664 JAN2N5665
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