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JANS1N6316/TR

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說明
操作

JANS1N6316/TR
深圳市思諾康科技有限公司
深圳市思諾康科技有限公司
聯系人：張小姐/Vivianvi
電話：0755-83286481
地址：坂田街道東坡路3號萬致天地商業中心（A塔）1棟一單元1602
9900
Microchip Technology
DO-204AH
23+
-
微芯專營優勢產品

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JANS1N6316/TR PDF下載 圖文及資料僅供參考，以實際PDF為準

JANS1N6316/TR 技術參數

JANS1N6315US 功能描述:Zener Diode 4.3V 500mW ±5% Surface Mount B, SQ-MELF 制造商:microsemi ire division 系列:軍用，MIL-PRF-19500/533 包裝:散裝零件狀態:在售電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:4.3V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:18 歐姆不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:2μA @ 1V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.4V @ 1A 工作溫度:-65°C ~ 175°C 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:SQ-MELF，B 供應商器件封裝:B，SQ-MELF 標準包裝:1 JANS1N6314US 功能描述:DIODE ZENER 3.9V 5W B-SQ MELF 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝零件狀態:Digi-Key 停止供應電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:3.9V 容差:±5% 功率 - 最大值:5W 阻抗（最大值）（Zzt）:23 Ohms 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:2μA @ 1V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf:1.5V @ 1A 工作溫度:-65°C ~ 175°C 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:SQ-MELF，B 供應商器件封裝:B，SQ-MELF 標準包裝:1 JANS1N6313US 功能描述:Zener Diode 3.6V 500mW ±5% Through Hole DO-35 制造商:microsemi ire division 系列:軍用，MIL-PRF-19500/533 包裝:散裝零件狀態:在售電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:3.6V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:25 歐姆不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:3μA @ 1V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.4V @ 1A 工作溫度:-65°C ~ 175°C 安裝類型:通孔封裝/外殼:DO-204AH，DO-35，軸向供應商器件封裝:DO-35 標準包裝:1 JANS1N6312US 功能描述:Zener Diode 3.3V 500mW ±5% Through Hole DO-35 制造商:microsemi ire division 系列:軍用，MIL-PRF-19500/533 包裝:散裝零件狀態:在售電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:3.3V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:27 歐姆不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:5μA @ 1V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.4V @ 1A 工作溫度:-65°C ~ 175°C 安裝類型:通孔封裝/外殼:DO-204AH，DO-35，軸向供應商器件封裝:DO-35 標準包裝:1 JANS1N6312DUS 功能描述:Zener Diode 3.3V 500mW ±1% Through Hole DO-35 制造商:microsemi ire division 系列:軍用，MIL-PRF-19500/533 包裝:散裝零件狀態:在售電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:3.3V 容差:±1% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:27 歐姆不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:5μA @ 1V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.4V @ 1A 工作溫度:-65°C ~ 175°C 安裝類型:通孔封裝/外殼:DO-204AH，DO-35，軸向供應商器件封裝:DO-35 標準包裝:1 JANS1N6317DUS JANS1N6317US JANS1N6317US/TR JANS1N6318 JANS1N6318C JANS1N6318CUS JANS1N6318D JANS1N6318DUS JANS1N6318US JANS1N6318US/TR JANS1N6319 JANS1N6319C JANS1N6319CUS JANS1N6319D JANS1N6319DUS JANS1N6319US JANS1N6319US/TR JANS1N6320