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JANTX1N823-1J

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JANTX1N823-1J 技術參數

JANTX1N823-1 功能描述:Zener Diode 6.2V 500mW ±5% Through Hole DO-35 制造商:microsemi ire division 系列:軍用，MIL-PRF-19500/159 包裝:散裝零件狀態(tài):在售電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:6.2V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:15 歐姆不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:2μA @ 3V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:- 工作溫度:- 安裝類型:通孔封裝/外殼:DO-204AH，DO-35，軸向供應商器件封裝:DO-35 標準包裝:1 JANTX1N821UR-1 功能描述:Zener Diode 6.2V 500mW ±5% Surface Mount DO-213AA 制造商:microsemi ire division 系列:軍用，MIL-PRF-19500/159 包裝:散裝零件狀態(tài):在售電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:6.2V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:15 歐姆不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:2μA @ 3V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:- 工作溫度:-55°C ~ 175°C 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:DO-213AA 供應商器件封裝:DO-213AA 標準包裝:1 JANTX1N821-1 功能描述:Zener Diode 6.2V 500mW ±5% Through Hole DO-35 (DO-204AH) 制造商:microsemi ire division 系列:軍用，MIL-PRF-19500/159 包裝:散裝零件狀態(tài):在售電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:6.2V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:15 歐姆不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:2μA @ 3V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.1V @ 200mA 工作溫度:-55°C ~ 175°C 安裝類型:通孔封裝/外殼:DO-204AH，DO-35，軸向供應商器件封裝:DO-35（DO-204AH）標準包裝:1 JANTX1N759DUR-1 功能描述:Zener Diode 12V 500mW ±1% Surface Mount DO-213AA 制造商:microsemi ire division 系列:軍用，MIL-PRF-19500/127 包裝:散裝零件狀態(tài):在售電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:12V 容差:±1% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:30 歐姆不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:1μA @ 9V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.1V @ 200mA 工作溫度:-65°C ~ 175°C 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:DO-213AA（玻璃）供應商器件封裝:DO-213AA 標準包裝:1 JANTX1N759D-1 功能描述:Zener Diode 12V 500mW ±1% Through Hole DO-35 (DO-204AH) 制造商:microsemi ire division 系列:軍用，MIL-PRF-19500/127 包裝:散裝零件狀態(tài):在售電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:12V 容差:±1% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:30 歐姆不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:1μA @ 9V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.1V @ 200mA 工作溫度:-65°C ~ 175°C 安裝類型:通孔封裝/外殼:DO-204AH，DO-35，軸向供應商器件封裝:DO-35（DO-204AH）標準包裝:1 JANTX1N935B-1 JANTX1N935BUR-1 JANTX1N937B-1 JANTX1N937BUR-1 JANTX1N938B-1 JANTX1N938BUR-1 JANTX1N941BUR-1 JANTX1N942B-1 JANTX1N943B-1 JANTX1N944B-1 JANTX1N945B-1 JANTX1N961BUR-1 JANTX1N962B-1 JANTX1N962BUR-1 JANTX1N962C-1 JANTX1N962CUR-1 JANTX1N962D-1 JANTX1N962DUR-1