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JANTX1N953

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JANTX1N953 技術參數
  • JANTX1N945B-1 功能描述:Zener Diode 11.7V 500mW ±5% Through Hole DO-35 制造商:microsemi ire division 系列:軍用,MIL-PRF-19500/157 包裝:散裝 零件狀態:在售 電壓 - 齊納(標稱值)(Vz):11.7V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗(最大值)(Zzt):30 歐姆 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:15μA @ 8V 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf):- 工作溫度:-55°C ~ 175°C 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AH,DO-35,軸向 供應商器件封裝:DO-35 標準包裝:1 JANTX1N944B-1 功能描述:Zener Diode 11.7V 500mW ±5% Through Hole DO-35 制造商:microsemi ire division 系列:軍用,MIL-PRF-19500/157 包裝:散裝 零件狀態:在售 電壓 - 齊納(標稱值)(Vz):11.7V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗(最大值)(Zzt):30 歐姆 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:15μA @ 8V 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf):- 工作溫度:-55°C ~ 175°C 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AH,DO-35,軸向 供應商器件封裝:DO-35 標準包裝:1 JANTX1N943B-1 功能描述:Zener Diode 11.7V 500mW ±5% Through Hole DO-35 制造商:microsemi ire division 系列:軍用,MIL-PRF-19500/157 包裝:散裝 零件狀態:在售 電壓 - 齊納(標稱值)(Vz):11.7V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗(最大值)(Zzt):30 歐姆 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:15μA @ 8V 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf):- 工作溫度:-55°C ~ 175°C 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AH,DO-35,軸向 供應商器件封裝:DO-35 標準包裝:1 JANTX1N942B-1 功能描述:Zener Diode 11.7V 500mW ±5% Through Hole DO-35 制造商:microsemi ire division 系列:軍用,MIL-PRF-19500/157 包裝:散裝 零件狀態:在售 電壓 - 齊納(標稱值)(Vz):11.7V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗(最大值)(Zzt):30 歐姆 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:15μA @ 8V 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf):- 工作溫度:-55°C ~ 175°C 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AH,DO-35,軸向 供應商器件封裝:DO-35 標準包裝:1 JANTX1N941BUR-1 功能描述:Zener Diode 11.7V 500mW ±5% Through Hole DO-35 制造商:microsemi ire division 系列:軍用,MIL-PRF-19500/157 包裝:散裝 零件狀態:在售 電壓 - 齊納(標稱值)(Vz):11.7V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗(最大值)(Zzt):30 歐姆 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:15μA @ 8V 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf):- 工作溫度:-55°C ~ 175°C 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AH,DO-35,軸向 供應商器件封裝:DO-35 標準包裝:1 JANTX1N963C-1 JANTX1N963CUR-1 JANTX1N963D-1 JANTX1N963DUR-1 JANTX1N964B-1 JANTX1N964BUR-1 JANTX1N964C-1 JANTX1N964D-1 JANTX1N964DUR-1 JANTX1N965B-1 JANTX1N965BUR-1 JANTX1N965CUR-1 JANTX1N965D-1 JANTX1N965DUR-1 JANTX1N966B-1 JANTX1N966BUR-1 JANTX1N966C-1 JANTX1N966CUR-1
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