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JANTX2N4931

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JANTX2N4931
深圳市思諾康科技有限公司
深圳市思諾康科技有限公司
聯系人：張小姐/Vivianvi
電話：0755-83286481
地址：坂田街道東坡路3號萬致天地商業中心（A塔）1棟一單元1602
9900
Microchip Technology
TO-205AD
23+
-
微芯專營優勢產品

JANTX2N4931U4
深圳市芯脈實業有限公司
深圳市芯脈實業有限公司
聯系人：曹先生/高先生/周小姐
電話：134878658521852080514813760272017
地址：深圳市龍崗區坂田街道南坑社區雅寶路1號星河WORLDA2203A室
5997
Microchip Technology
3-SMD, No Lead
25+
-
全球渠道、原廠正品、信譽保障、閃電發貨

JANTX2N4931
深圳市芯脈實業有限公司
深圳市芯脈實業有限公司
聯系人：周小姐/高先生/曹先生
電話：137602720171852080514813487865852
地址：深圳市龍崗區坂田街道南坑社區雅寶路1號星河WORLDA2203A室
80660
Microchip / Microsemi
25+
-
全球渠道、原廠正品、信譽保障、閃電發貨

JANTX2N4931
北京元坤偉業科技有限公司
北京元坤偉業科技有限公司
聯系人：劉先生
電話：010-6210493162104891621045786210643162104791
地址：北京市海淀區中關村大街32號和盛嘉業大廈10層1008室
資質：營業執照
4000
原廠品牌
標準封裝
05+
-
全新原裝100%正品保證質量

JANTX2N4931
北京元坤偉業科技有限公司
北京元坤偉業科技有限公司
聯系人：劉先生
電話：010-6210493162104891621045786210643162104791
地址：北京市海淀區中關村大街32號和盛嘉業大廈10層1008室
資質：營業執照
4000
原廠品牌
標準封裝
05+
-
全新原裝100%正品保證質量

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制造商
Microsemi Corporation
功能描述
Trans GP BJT PNP 250V 0.2A 3-Pin TO-39
制造商
Microsemi Corporation
功能描述
TRANS GP BJT PNP 250V 0.2A 3PIN TO-39 - Bulk

JANTX2N4931 技術參數

JANTX2N4859 功能描述:JFET N-Channel 30V 175mA @ 15V 360mW Through Hole TO-18 制造商:microsemi ire division 系列:- 包裝:散裝零件狀態:在售 FET 類型:N 溝道電壓 - 擊穿（V（BR）GSS）:30V 漏源極電壓（Vdss）:30V 不同 Vds（Vgs=0）時的電流 - 漏極（Idss）:175mA @ 15V 漏極電流（Id） - 最大值:- 不同 Id 時的電壓 - 截止（VGS 關）:10V @ 500pA 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:18pF @ 10V（VGS）電阻 - RDS（開）:25 歐姆功率 - 最大值:360mW 工作溫度:-65°C ~ 200°C（TJ）安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-206AA，TO-18-3 金屬罐供應商器件封裝:TO-18 標準包裝:1 JANTX2N4857UB 功能描述:JFET N-Channel 40V 100mA @ 15V 360mW Surface Mount UB 制造商:microsemi ire division 系列:- 包裝:散裝零件狀態:在售 FET 類型:N 溝道電壓 - 擊穿（V（BR）GSS）:40V 漏源極電壓（Vdss）:40V 不同 Vds（Vgs=0）時的電流 - 漏極（Idss）:100mA @ 15V 漏極電流（Id） - 最大值:- 不同 Id 時的電壓 - 截止（VGS 關）:6V @ 500pA 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:18pF @ 10V（VGS）電阻 - RDS（開）:40 歐姆功率 - 最大值:360mW 工作溫度:- 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:3-SMD，無引線供應商器件封裝:UB 標準包裝:1 JANTX2N4857 功能描述:JFET N-Channel 40V 100mA @ 15V 360mW Through Hole TO-18 制造商:microsemi ire division 系列:- 包裝:散裝零件狀態:在售 FET 類型:N 溝道電壓 - 擊穿（V（BR）GSS）:40V 漏源極電壓（Vdss）:40V 不同 Vds（Vgs=0）時的電流 - 漏極（Idss）:100mA @ 15V 漏極電流（Id） - 最大值:- 不同 Id 時的電壓 - 截止（VGS 關）:6V @ 500pA 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:18pF @ 10V（VGS）電阻 - RDS（開）:40 歐姆功率 - 最大值:360mW 工作溫度:-65°C ~ 200°C（TJ）安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-206AA，TO-18-3 金屬罐供應商器件封裝:TO-18 標準包裝:1 JANTX2N4856UB 功能描述:JFET N-Channel 40V 175mA @ 15V 360mW Surface Mount UB 制造商:microsemi ire division 系列:- 包裝:散裝零件狀態:在售 FET 類型:N 溝道電壓 - 擊穿（V（BR）GSS）:40V 漏源極電壓（Vdss）:40V 不同 Vds（Vgs=0）時的電流 - 漏極（Idss）:175mA @ 15V 漏極電流（Id） - 最大值:- 不同 Id 時的電壓 - 截止（VGS 關）:10V @ 500pA 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:18pF @ 10V（VGS）電阻 - RDS（開）:25 歐姆功率 - 最大值:360mW 工作溫度:- 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:3-SMD，無引線供應商器件封裝:UB 標準包裝:1 JANTX2N4854U 功能描述:TRANS NPN/PNP 40V 0.6A 6SMD 制造商:microsemi ire division 系列:軍用，MIL-PRF-19500/421 包裝:散裝零件狀態:在售晶體管類型:NPN，PNP 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:600mA 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:40V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:400mV @ 15mA，150mA 電流 - 集電極截止（最大值）:10μA（ICBO）不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:100 @ 150mA，10V 功率 - 最大值:600mW 頻率 - 躍遷:- 工作溫度:-65°C ~ 200°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:6-SMD，無引線供應商器件封裝:6-SMD 標準包裝:1 JANTX2N5151L JANTX2N5152 JANTX2N5152L JANTX2N5153 JANTX2N5153L JANTX2N5154 JANTX2N5154L JANTX2N5157 JANTX2N5237 JANTX2N5237S JANTX2N5238 JANTX2N5238S JANTX2N5302 JANTX2N5303 JANTX2N5339 JANTX2N5415 JANTX2N5415S JANTX2N5416

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