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JANTXV1N5550US

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  • 封裝
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  • 操作
  • JANTXV1N5550US
    JANTXV1N5550US

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  • 深圳市思諾康科技有限公司
    深圳市思諾康科技有限公司

    聯系人:張小姐/Vivianvi

    電話:0755-83286481

    地址:坂田街道東坡路3號萬致天地商業中心(A塔)1棟一單元1602

  • 9900

  • Microchip Technology

  • SQ-MELF

  • 23+

  • -
  • 微芯專營優勢產品

  • JANTXV1N5550US
    JANTXV1N5550US

    JANTXV1N5550US

  • 北京天陽誠業科貿有限公司
    北京天陽誠業科貿有限公司

    聯系人:洪先生

    電話:17862669251

    地址:北京市海淀區安寧莊西路9號院29號樓金泰富地大廈503

    資質:營業執照

  • 0

  • SEMTECH

  • con

  • 24+

  • -
  • 電子元件

  • JANTXV1N5550US
    JANTXV1N5550US

    JANTXV1N5550US

  • 深圳市海天鴻電子科技有限公司
    深圳市海天鴻電子科技有限公司

    聯系人:彭小姐、劉先生、李小姐

    電話:0755-82552857-80913528851884(周日專線)

    地址:深圳市福田區中航路中航北苑大廈A座22A3號

    資質:營業執照

  • 5800

  • SEMTECH(美國)

  • MIL, QPL PART, 3A 20

  • 1711+

  • -
  • 只做原裝 一手貨源,代理商分銷庫存

  • 1/1頁 40條/頁 共1條 
  • 1
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  • 制造商
  • Microsemi Corporation
  • 功能描述
  • STANDARD RECTIFIER (TRR MORE THAN 500NS) (REC) - Trays
JANTXV1N5550US 技術參數
  • JANTXV1N5550 功能描述:Diode Standard 200V 5A Through Hole 制造商:microsemi ire division 系列:軍用,MIL-PRF-19500/420 包裝:散裝 零件狀態:在售 二極管類型:標準 電壓 - DC 反向(Vr)(最大值):200V 電流 - 平均整流(Io):5A 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf):1.2V @ 9A 速度:標準恢復 >500ns,> 200mA(Io) 反向恢復時間(trr):2μs 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:1μA @ 200V 不同?Vr,F 時的電容:- 安裝類型:通孔 封裝/外殼:B,軸向 供應商器件封裝:* 工作溫度 - 結:-65°C ~ 175°C 標準包裝:1 JANTXV1N5546DUR-1 功能描述:Zener Diode 33V 500mW ±1% Surface Mount DO-213AA 制造商:microsemi ire division 系列:軍用,MIL-PRF-19500/437 包裝:散裝 零件狀態:在售 電壓 - 齊納(標稱值)(Vz):33V 容差:±1% 功率 - 最大值:500mW 阻抗(最大值)(Zzt):100 歐姆 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:10nA @ 29.7V 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf):1.1V @ 200mA 工作溫度:-65°C ~ 175°C 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:DO-213AA(玻璃) 供應商器件封裝:DO-213AA 標準包裝:1 JANTXV1N5546D-1 功能描述:Zener Diode 33V 500mW ±1% Through Hole DO-35 (DO-204AH) 制造商:microsemi ire division 系列:軍用,MIL-PRF-19500/437 包裝:散裝 零件狀態:在售 電壓 - 齊納(標稱值)(Vz):33V 容差:±1% 功率 - 最大值:500mW 阻抗(最大值)(Zzt):100 歐姆 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:10nA @ 29.7V 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf):1.1V @ 200mA 工作溫度:-65°C ~ 175°C 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AH,DO-35,軸向 供應商器件封裝:DO-35(DO-204AH) 標準包裝:1 JANTXV1N5546CUR-1 功能描述:Zener Diode 33V 500mW ±2% Surface Mount DO-213AA 制造商:microsemi ire division 系列:軍用,MIL-PRF-19500/437 包裝:散裝 零件狀態:在售 電壓 - 齊納(標稱值)(Vz):33V 容差:±2% 功率 - 最大值:500mW 阻抗(最大值)(Zzt):100 歐姆 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:10nA @ 29.7V 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf):1.1V @ 200mA 工作溫度:-65°C ~ 175°C 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:DO-213AA(玻璃) 供應商器件封裝:DO-213AA 標準包裝:1 JANTXV1N5546C-1 功能描述:Zener Diode 33V 500mW ±2% Through Hole DO-35 (DO-204AH) 制造商:microsemi ire division 系列:軍用,MIL-PRF-19500/437 包裝:散裝 零件狀態:在售 電壓 - 齊納(標稱值)(Vz):33V 容差:±2% 功率 - 最大值:500mW 阻抗(最大值)(Zzt):100 歐姆 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:10nA @ 29.7V 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf):1.1V @ 200mA 工作溫度:-65°C ~ 175°C 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AH,DO-35,軸向 供應商器件封裝:DO-35(DO-204AH) 標準包裝:1 JANTXV1N5558 JANTXV1N5611 JANTXV1N5612 JANTXV1N5613 JANTXV1N5614 JANTXV1N5614US JANTXV1N5615 JANTXV1N5615US JANTXV1N5616 JANTXV1N5616US JANTXV1N5617 JANTXV1N5617US JANTXV1N5618 JANTXV1N5618US JANTXV1N5619 JANTXV1N5619US JANTXV1N5620 JANTXV1N5621
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