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JANTXV1N6632US

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型號
供應商
數量
廠商
封裝
批號
價格
說明
操作

JANTXV1N6632US
深圳市思諾康科技有限公司
深圳市思諾康科技有限公司
聯系人：張小姐/Vivianvi
電話：0755-83286481
地址：坂田街道東坡路3號萬致天地商業中心（A塔）1棟一單元1602
9900
Microchip Technology
SQ-MELF
23+
-
微芯專營優勢產品

JANTXV1N6632US/TR
深圳市芯脈實業有限公司
深圳市芯脈實業有限公司
聯系人：曹先生/高先生/周小姐
電話：134878658521852080514813760272017
地址：深圳市龍崗區坂田街道南坑社區雅寶路1號星河WORLDA2203A室
46799
Microchip Technology
SQ-MELF, E
25+
-
全球渠道、原廠正品、信譽保障、閃電發貨

JANTXV1N6632US
深圳市芯脈實業有限公司
深圳市芯脈實業有限公司
聯系人：周小姐/高先生/曹先生
電話：137602720171852080514813487865852
地址：深圳市龍崗區坂田街道南坑社區雅寶路1號星河WORLDA2203A室
38456
Microchip / Microsemi
25+
-
全球渠道、原廠正品、信譽保障、閃電發貨

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制造商
Microsemi Corporation
功能描述
ZENER SGL 3.3V 5% 5W 2PIN D-5B - Trays

JANTXV1N6632US 技術參數

JANTXV1N6631US 功能描述:Diode Standard 1100V (1.1kV) 1.4A Surface Mount D-5B 制造商:microsemi ire division 系列:軍用，MIL-PRF-19500/590 包裝:散裝零件狀態:在售二極管類型:標準電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:1100V（1.1kV）電流 - 平均整流（Io）:1.4A 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.6V @ 1.4A 速度:快速恢復 = 200mA（Io）反向恢復時間（trr）:60ns 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:4μA @ 1100V 不同?Vr，F 時的電容:40pF @ 10V，1MHz 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:SQ-MELF，B 供應商器件封裝:D-5B 工作溫度 - 結:-65°C ~ 150°C 標準包裝:1 JANTXV1N6631 功能描述:Diode Standard 1100V (1.1kV) 1.4A Through Hole E-PAK 制造商:microsemi ire division 系列:軍用，MIL-PRF-19500/590 包裝:散裝零件狀態:在售二極管類型:標準電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:1100V（1.1kV）電流 - 平均整流（Io）:1.4A 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.6V @ 1.4A 速度:快速恢復 = 200mA（Io）反向恢復時間（trr）:60ns 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:4μA @ 1100V 不同?Vr，F 時的電容:40pF @ 10V，1MHz 安裝類型:通孔封裝/外殼:E，軸向供應商器件封裝:E-PAK 工作溫度 - 結:-65°C ~ 150°C 標準包裝:1 JANTXV1N6630US 功能描述:Diode Standard 1000V (1kV) 1.4A Surface Mount D-5B 制造商:microsemi ire division 系列:軍用，MIL-PRF-19500/590 包裝:散裝零件狀態:在售二極管類型:標準電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:1000V（1kV）電流 - 平均整流（Io）:1.4A 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.4V @ 1.4A 速度:快速恢復 = 200mA（Io）反向恢復時間（trr）:50ns 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:2μA @ 1000V 不同?Vr，F 時的電容:- 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:SQ-MELF，E 供應商器件封裝:D-5B 工作溫度 - 結:-65°C ~ 150°C 標準包裝:1 JANTXV1N6630 功能描述:Diode Standard 900V 1.4A Through Hole E-PAK 制造商:microsemi ire division 系列:軍用，MIL-PRF-19500/590 包裝:散裝零件狀態:在售二極管類型:標準電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:900V 電流 - 平均整流（Io）:1.4A 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.4V @ 1.4A 速度:快速恢復 = 200mA（Io）反向恢復時間（trr）:50ns 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:2μA @ 900V 不同?Vr，F 時的電容:- 安裝類型:通孔封裝/外殼:E，軸向供應商器件封裝:E-PAK 工作溫度 - 結:-65°C ~ 150°C 標準包裝:1 JANTXV1N6629 功能描述:Diode Standard 880V 1.4A Through Hole 制造商:microsemi ire division 系列:軍用，MIL-PRF-19500/590 包裝:散裝零件狀態:在售二極管類型:標準電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:880V 電流 - 平均整流（Io）:1.4A 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.4V @ 1.4A 速度:快速恢復 = 200mA（Io）反向恢復時間（trr）:50ns 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:2μA @ 880V 不同?Vr，F 時的電容:40pF @ 10V，1MHz 安裝類型:通孔封裝/外殼:E，軸向供應商器件封裝:* 工作溫度 - 結:-65°C ~ 150°C 標準包裝:1 JANTXV1N6641 JANTXV1N6641US JANTXV1N6642 JANTXV1N6642U JANTXV1N6642UB JANTXV1N6642UB2 JANTXV1N6642UB2R JANTXV1N6642UBCA JANTXV1N6642UBCC JANTXV1N6642UBD JANTXV1N6642US JANTXV1N6643 JANTXV1N6643U JANTXV1N6643US JANTXV1N6660 JANTXV1N6660CAT1 JANTXV1N6660CCT1 JANTXV1N6660DT1