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JANTXV2N5015S

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  • JANTXV2N5015S
    JANTXV2N5015S

    JANTXV2N5015S

  • 深圳市芯脈實(shí)業(yè)有限公司
    深圳市芯脈實(shí)業(yè)有限公司

    聯(lián)系人：高先生/周小姐/曹先生

    電話：185208051481376027201713487865852

    地址：深圳市龍崗區(qū)坂田街道南坑社區(qū)雅寶路1號(hào)星河WORLDA2203A室

  • 71721

  • Microsemi Corporation

  • TO-205AD, TO-39-3 Me

  • 25+

  • -

  • 全球渠道、原廠正品、信譽(yù)保障、閃電發(fā)貨

  • 1/1頁 40條/頁 共2條 
  • 1
JANTXV2N5015S PDF下載 圖文及資料僅供參考，以實(shí)際PDF為準(zhǔn)
  • 制造商
  • Microsemi Corporation
  • 功能描述
  • Trans GP BJT NPN 0.2A 3-Pin TO-39
  • 制造商
  • Microsemi Corporation
  • 功能描述
  • NPN TRANSISTOR - Bulk
JANTXV2N5015S 技術(shù)參數(shù)
  • JANTXV2N5005 功能描述:TRANS PNP 80V 5A TO59 制造商:microsemi ire division 系列:軍用，MIL-PRF-19500/535 包裝:散裝 零件狀態(tài):在售 晶體管類型:PNP 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:5A 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:80V 不同?Ib，Ic 時(shí)的?Vce 飽和值（最大值）:1.5V @ 500mA，5A 電流 - 集電極截止（最大值）:50μA 不同?Ic，Vce?時(shí)的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:70 @ 2.5A，5V 功率 - 最大值:2W 頻率 - 躍遷:- 工作溫度:-65°C ~ 200°C（TJ） 安裝類型:底座，接線柱安裝 封裝/外殼:TO-210AA，TO-59-4，接線柱 供應(yīng)商器件封裝:TO-59 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 JANTXV2N5003 功能描述:TRANS PNP 80V 5A TO59 制造商:microsemi ire division 系列:軍用，MIL-PRF-19500/535 包裝:散裝 零件狀態(tài):在售 晶體管類型:PNP 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:5A 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:80V 不同?Ib，Ic 時(shí)的?Vce 飽和值（最大值）:1.5V @ 500mA，5A 電流 - 集電極截止（最大值）:50μA 不同?Ic，Vce?時(shí)的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:30 @ 2.5A，5V 功率 - 最大值:2W 頻率 - 躍遷:- 工作溫度:-65°C ~ 200°C（TJ） 安裝類型:底座，接線柱安裝 封裝/外殼:TO-210AA，TO-59-4，接線柱 供應(yīng)商器件封裝:TO-59 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 JANTXV2N5002 功能描述:TRANS NPN 80V 5A TO59 制造商:microsemi ire division 系列:軍用，MIL-PRF-19500/534 包裝:散裝 零件狀態(tài):在售 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:5A 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:80V 不同?Ib，Ic 時(shí)的?Vce 飽和值（最大值）:1.5V @ 500mA，5A 電流 - 集電極截止（最大值）:50μA 不同?Ic，Vce?時(shí)的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:30 @ 2.5A，5V 功率 - 最大值:2W 頻率 - 躍遷:- 工作溫度:-65°C ~ 200°C（TJ） 安裝類型:底座，接線柱安裝 封裝/外殼:TO-210AA，TO-59-4，接線柱 供應(yīng)商器件封裝:TO-59 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 JANTXV2N4957UB 功能描述:RF Transistor PNP 30V 30mA 200mW Surface Mount UB 制造商:microsemi ire division 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):在售 晶體管類型:PNP 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:30V 頻率 - 躍遷:- 噪聲系數(shù)（dB，不同 f 時(shí)的典型值）:3.5dB @ 450MHz 增益:25dB 功率 - 最大值:200mW 不同?Ic，Vce?時(shí)的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:30 @ 5mA，10V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:30mA 工作溫度:-65°C ~ 200°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:3-SMD，無引線 供應(yīng)商器件封裝:UB 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 JANTXV2N4957 功能描述:RF Transistor PNP 30V 30mA 200mW Through Hole TO-72 制造商:microsemi ire division 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):在售 晶體管類型:PNP 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:30V 頻率 - 躍遷:- 噪聲系數(shù)（dB，不同 f 時(shí)的典型值）:3.5dB @ 450MHz 增益:25dB 功率 - 最大值:200mW 不同?Ic，Vce?時(shí)的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:30 @ 5mA，10V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:30mA 工作溫度:-65°C ~ 200°C（TJ） 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-72-3 金屬罐 供應(yīng)商器件封裝:TO-72 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 JANTXV2N5237 JANTXV2N5237S JANTXV2N5238 JANTXV2N5238S JANTXV2N5339 JANTXV2N5339U3 JANTXV2N5415 JANTXV2N5415S JANTXV2N5416 JANTXV2N5416S JANTXV2N5416U4 JANTXV2N5416UA JANTXV2N5581 JANTXV2N5582 JANTXV2N5662 JANTXV2N5663 JANTXV2N5664 JANTXV2N5665
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