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參數資料
| 型號： | J211 |
| 廠商： | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP |
| 元件分類： | 小信號晶體管 |
| 英文描述： | N-Channel RF Amplifier |
| 中文描述： | VHF BAND, Si, N-CHANNEL, RF SMALL SIGNAL, JFET, TO-92 |
| 文件頁數： | 1/12頁 |
| 文件大小： | 100K |
| 代理商： | J211 |
DATA SHEET
Product specification
File under Discrete Semiconductors, SC07
1997 Dec 01
DISCRETE SEMICONDUCTORS
J210; J211; J212
N-channel field-effect transistors
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| J210 | N-Channel JFET |
| J211 | N-Channel JFET |
| J210 | LOW NOISE N-CHANNEL J-FET GENERAL PURPOSE AMPLIFIER |
| J211 | LOW NOISE N-CHANNEL J-FET GENERAL PURPOSE AMPLIFIER |
| J230 | TRANSISTOR | JFET | N-CHANNEL | 40V V(BR)DSS | 3MA I(DSS) | TO-226AA |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| J211"D74Z | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:N CHANNEL JFET -25V TO-92 |
| J211 | 制造商:Vishay Siliconix 功能描述:TRANSISTOR JFET N TO-92 |
| J211_D27Z | 功能描述:射頻JFET晶體管 NCh RF Transistor RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶體管極性:N-Channel 正向跨導 gFS（最大值/最小值）: 電阻汲極/源極 RDS（導通）: 漏源電壓 VDS:40 V 閘/源截止電壓:5 V 閘/源擊穿電壓:40 V 最大漏極/柵極電壓:40 V 漏極電流（Vgs=0 時的 Idss）:25 mA to 75 mA 漏極連續電流: 功率耗散:250 mW 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOT-23 封裝:Reel |
| J211_D74Z | 功能描述:射頻JFET晶體管 NCh RF Transistor RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶體管極性:N-Channel 正向跨導 gFS（最大值/最小值）: 電阻汲極/源極 RDS（導通）: 漏源電壓 VDS:40 V 閘/源截止電壓:5 V 閘/源擊穿電壓:40 V 最大漏極/柵極電壓:40 V 漏極電流（Vgs=0 時的 Idss）:25 mA to 75 mA 漏極連續電流: 功率耗散:250 mW 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOT-23 封裝:Reel |
| J211_Q | 功能描述:射頻JFET晶體管 NCh RF Transistor RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶體管極性:N-Channel 正向跨導 gFS（最大值/最小值）: 電阻汲極/源極 RDS（導通）: 漏源電壓 VDS:40 V 閘/源截止電壓:5 V 閘/源擊穿電壓:40 V 最大漏極/柵極電壓:40 V 漏極電流（Vgs=0 時的 Idss）:25 mA to 75 mA 漏極連續電流: 功率耗散:250 mW 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOT-23 封裝:Reel |
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