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參數資料
| 型號： | JAN2N3097 |
| 元件分類： | 晶閘管 |
| 英文描述： | 1200 V, SCR, TO-209AC |
| 文件頁數： | 1/1頁 |
| 文件大小： | 81K |
| 代理商： | JAN2N3097 |
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| JAN2N6137 | PROGRAMMABLE UJT, TO-18 |
| JANTX2N6137 | PROGRAMMABLE UJT, TO-18 |
| JAN2N6274 | 50 A, 100 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-204AE |
| JAN2N6989 | 0.8 A, 50 V, 4 CHANNEL, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-116 |
| JANSR2N7406 | 24 A, 200 V, 0.11 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-254AA |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| JAN2N3227 | 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:NPN TRANSISTOR - Bulk |
| JAN2N3227UB | 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:NPN TRANSISTOR - Waffle Pack |
| JAN2N3250A | 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:TRANS GP BJT PNP 60V 0.2A 3PIN TO-39 - Bulk |
| JAN2N3251A | 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:Trans GP BJT PNP 60V 0.2A 3-Pin TO-39 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:TRANS GP BJT PNP 60V 0.2A 3PIN TO-39 - Bulk |
| JAN2N3251AUB | 功能描述:TRANS PNP 60V 0.2A TO-39 制造商:microsemi ire division 系列:軍用，MIL-PRF-19500/323 包裝:散裝 零件狀態:在售 晶體管類型:PNP 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:200mA 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:60V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:500mV @ 5mA，50mA 電流 - 集電極截止（最大值）:10μA（ICBO） 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:100 @ 10mA，1V 功率 - 最大值:360mW 頻率 - 躍遷:- 工作溫度:-65°C ~ 200°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:3-SMD，無引線 供應商器件封裝:UB 標準包裝:1 |
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