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K4T51163QG

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供應商
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封裝
批號
價格
說明
操作

K4T51163QG-HCE6
深圳市安博威科技有限公司
深圳市安博威科技有限公司
聯系人：吳
電話：18320850923
地址：深圳市福田區華強北路賽格廣場1713室
9600
SAMSUNG
原廠封裝
21+
-
原裝進口，歡迎詢價

K4T51163QG-HCE6
甄芯網
甄芯網
聯系人：柯
電話：0755-836658130755-83465652
地址：深南中路佳和大廈B座907
70
SAMSUNG
BGA
1040+
-
█100%現貨█可開17%增票█可申請免...

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制造商
SAMSUNG
制造商全稱
Samsung semiconductor
功能描述
512Mb G-die DDR2 SDRAM Specification

K4T51163QG 技術參數

K4MTG 功能描述:KIT GRIPPER REPLACE FOR GS4MT 制造商:panduit corp 系列:- 零件狀態:在售類型:配件，備用夾鉗套件特性:- 配套使用產品/相關產品:298-1107-ND 標準包裝:1 K4M-BLD 功能描述:KIT BLADE REPLACE FOR GS4MT 制造商:panduit corp 系列:- 零件狀態:在售類型:配件，刀片特性:- 配套使用產品/相關產品:298-1107-ND 標準包裝:1 K4H-BLD 功能描述:KIT BLADE REPLACE FOR GS4H 制造商:panduit corp 系列:- 零件狀態:在售類型:配件，刀片特性:- 配套使用產品/相關產品:298-1099-ND 標準包裝:1 K474Z20Y5VF5TH5 功能描述:0.47μF 50V 陶瓷電容器 Y5V（F）徑向 0.197" 長 x 0.126" 寬（5.00mm x 3.20mm）制造商:vishay bc components 系列:Mono-Kap? K 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:有效電容:0.47μF 容差:-20%，+80% 電壓 - 額定:50V 溫度系數:Y5V（F）安裝類型:通孔工作溫度:-30°C ~ 85°C 應用:通用等級:- 封裝/外殼:徑向大小/尺寸:0.197" 長 x 0.126" 寬（5.00mm x 3.20mm）高度 - 安裝（最大值）:0.297"（7.54mm）厚度（最大值）:- 引線間距:0.197"（5.00mm）特性:- 引線形式:成型引線標準包裝:1 K474Z20Y5VE5TL2 功能描述:0.47μF 25V 陶瓷電容器 Y5V（F）徑向 0.197" 長 x 0.126" 寬（5.00mm x 3.20mm）制造商:vishay bc components 系列:Mono-Kap? K 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:有效電容:0.47μF 容差:-20%，+80% 電壓 - 額定:25V 溫度系數:Y5V（F）安裝類型:通孔工作溫度:-30°C ~ 85°C 應用:通用等級:- 封裝/外殼:徑向大小/尺寸:0.197" 長 x 0.126" 寬（5.00mm x 3.20mm）高度 - 安裝（最大值）:0.220"（5.58mm）厚度（最大值）:- 引線間距:0.098"（2.50mm）特性:- 引線形式:直形標準包裝:1 K502515100J0G K50251520000G K502515200J0G K50351500000G K503515000J0G K50351510000G K503515100J0G K50351520000G K503515200J0G K50-3C0E12.0000M K50-3C0E12.0320M K50-3C0E14.31818 K50-3C0E14.3182M K50-3C0E16.0000M K50-3C0E19.8000M K50-3C0E20.0000M K50-3C0E22.1184M K50-3C0E24.0000M