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參數資料
型號: K4H1G0438D-TCA0
廠商: SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD.
英文描述: Aluminum Electrolytic Radial Lead Hi Temp Capacitor; Capacitance: 330uF; Voltage: 16V; Case Size: 10x12.5 mm; Packaging: Bulk
中文描述: 128MB DDR SDRAM的
文件頁數: 1/53頁
文件大小: 669K
代理商: K4H1G0438D-TCA0
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REV. 1.0 November. 2. 2000
128Mb DDR SDRAM
DDR SDRAM Specification
Version 1.0
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PDF描述
K4H1G0438D-TCA2 128Mb DDR SDRAM
K4H1G0438D-TCB0 Aluminum Electrolytic Radial Lead Hi Temp Capacitor; Capacitance: 470uF; Voltage: 16V; Case Size: 10x16 mm; Packaging: Bulk
K4H1G0438D-TLA0 Aluminum Electrolytic Radial Lead Hi Temp Capacitor; Capacitance: 100uF; Voltage: 25V; Case Size: 8x11.5 mm; Packaging: Bulk
K4H1G0438D-TLA2 128Mb DDR SDRAM
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參數描述
K4H1G0438D-TCA2 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:128Mb DDR SDRAM
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