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參數資料
| 型號： | K4H1G0438E-TLB0 |
| 廠商： | SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD. |
| 英文描述： | Aluminum Electrolytic Radial Lead Hi Temp Capacitor; Capacitance: 330uF; Voltage: 25V; Case Size: 10x16 mm; Packaging: Bulk |
| 中文描述： | 128MB DDR SDRAM的 |
| 文件頁數： | 1/53頁 |
| 文件大小： | 669K |
| 代理商： | K4H1G0438E-TLB0 |
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REV. 1.0 November. 2. 2000
128Mb DDR SDRAM
DDR SDRAM Specification
Version 1.0
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| K4H1G0838A-TCA2 | 128Mb DDR SDRAM |
| K4H1G0838A-TCB0 | 128Mb DDR SDRAM |
| K4H1G0838A-TLA0 | 128Mb DDR SDRAM |
| K4H1G0838A-TLA2 | 128Mb DDR SDRAM |
| K4H1G0838A-TLB0 | 128Mb DDR SDRAM |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| K4H1G0438M | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:1Gb M-die DDR SDRAM Specification |
| K4H1G0438M-LA2 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:1Gb M-die DDR SDRAM Specification 66 TSOP-II with Pb-Free (RoHS compliant) |
| K4H1G0438M-LB0 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:1Gb M-die DDR SDRAM Specification 66 TSOP-II with Pb-Free (RoHS compliant) |
| K4H1G0438M-LB3 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:1Gb M-die DDR SDRAM Specification 66 TSOP-II with Pb-Free (RoHS compliant) |
| K4H1G0438M-TC/LA2 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:1Gb M-die DDR SDRAM Specification |
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