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參數(shù)資料
型號(hào)： K4H560438E-NC
廠商： SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD.
英文描述： DIODE ZENER SINGLE 300mW 43Vz 5mA-Izt 0.02 0.05uA-Ir 33 SOT-23 3K/REEL
中文描述： 256Mb的電子芯片DDR SDRAM內(nèi)存規(guī)格54pin sTSOP（二）
文件頁(yè)數(shù)： 1/26頁(yè)
文件大小： 291K
代理商： K4H560438E-NC
- 1 -
256Mb
DDR SDRAM
Rev. 2.2 Mar. ’03
Double-data-rate architecture; two data transfers per clock cycle
Bidirectional data strobe(DQS)
Four banks operation
Differential clock inputs(CK and CK)
DLL aligns DQ and DQS transition with CK transition
MRS cycle with address key programs
-. Read latency 2, 2.5 (clock)
-. Burst length (2, 4, 8)
-. Burst type (sequential & interleave)
All inputs except data & DM are sampled at the positive going edge of the system clock(CK)
Data I/O transactions on both edges of data strobe
Edge aligned data output, center aligned data input
LDM,UDM/DM for write masking only
Auto & Self refresh
7.8us refresh interval(8K/64ms refresh)
Maximum burst refresh cycle : 8
60 Ball FBGA package
Key Features
Operating Frequencies
*CL : Cas Latency
- B3(DDR333)
133MHz
166MHz
- A2(DDR266A)
133MHz
133MHz
- B0(DDR266B)
100MHz
133MHz
Speed @CL2
Speed @CL2.5
Part No.
Org.
Max Freq.
Interface
Package
K4H560438D-GC(L)B3
64M x 4
B3(DDR333@CL=2.5)
SSTL2
60 ball FBGA
K4H560438D-GC(L)A2
A2(DDR266@CL=2)
K4H560438D-GC(L)B0
B0(DDR266@CL=2.5)
K4H560838D-GC(L)B3
32M x 8
B3(DDR333@CL=2.5)
SSTL2
60 ball FBGA
K4H560838D-GC(L)A2
A2(DDR266@CL=2)
K4H560838D-GC(L)B0
B0(DDR266@CL=2.5)
K4H561638D-GC(L)B3
16M x 16
B3(DDR333@CL=2.5)
SSTL2
60 ball FBGA
K4H561638D-GC(L)A2
A2(DDR266@CL=2)
K4H561638D-GC(L)B0
B0(DDR266@CL=2.5)
ORDERING INFORMATION
相關(guān)PDF資料
PDF描述
K4H560438M-TCA0 DIODE ZENER DUAL COMMON-CATHODE 300mW 51Vz 5mA-Izt 0.0588 0.1uA-Ir 38 SOT-23 3K/REEL
K4H560438E-ULA2 256Mb E-die DDR SDRAM Specification 66 TSOP-II with Pb-Free (RoHS compliant)
K4H560438E-ULAA 256Mb E-die DDR SDRAM Specification 66 TSOP-II with Pb-Free (RoHS compliant)
K4H560438E-ULB0 256Mb E-die DDR SDRAM Specification 66 TSOP-II with Pb-Free (RoHS compliant)
K4H560438E-VLB0 256Mb E-die DDR SDRAM Specification 54 sTSOP-II with Pb-Free (RoHS compliant)
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
K4H560438E-NC/LA2 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:256Mb E-die DDR SDRAM Specification 54pin sTSOP(II)
K4H560438E-NC/LB0 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:256Mb E-die DDR SDRAM Specification 54pin sTSOP(II)
K4H560438E-NC/LB3 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:256Mb E-die DDR SDRAM Specification 54pin sTSOP(II)
K4H560438E-NCA2 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:256Mb E-die DDR SDRAM Specification 54pin sTSOP(II)
K4H560438E-NCB0 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:256Mb E-die DDR SDRAM Specification 54pin sTSOP(II)
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