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參數資料
| 型號： | K4H561638D-GCB0 |
| 廠商： | SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD. |
| 英文描述： | DIODE ZENER SINGLE 500mW 30Vz 0.05mA-Izt 0.05 0.05uA-Ir 22.8 SOD-123 3K/REEL |
| 中文描述： | 的DDR 256Mb的 |
| 文件頁數： | 1/18頁 |
| 文件大小： | 168K |
| 代理商： | K4H561638D-GCB0 |
DDR SDRAM
DDR SDRAM 256Mb D-die (x8, x16)
Rev. 1.1 Feb. 2003
256Mb D-die DDR400 SDRAM Specification
Revision 1.1
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| K4H561638D-GCB3 | DIODE ZENER SINGLE 150mW 30Vz 0.05mA-Izt 0.05 0.05uA-Ir 22.8 SOD-523 3K/REEL |
| K4H561638D-GLA2 | DIODE ZENER SINGLE 200mW 33Vz 0.05mA-Izt 0.05 0.05uA-Ir 25 SOD-323 3K/REEL |
| K4H561638D-GLB0 | DIODE ZENER SINGLE 200mW 36Vz 0.05mA-Izt 0.05 0.05uA-Ir 27.3 SOD-323 3K/REEL |
| K4H561638D-GLB3 | DIODE ZENER SINGLE 200mW 39Vz 0.05mA-Izt 0.05 0.05uA-Ir 29.6 SOD-323 3K/REEL |
| K4H560438D-GC | DDR 256Mb |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| K4H561638D-GCB3 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:DDR 256Mb |
| K4H561638D-GLA2 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:DDR 256Mb |
| K4H561638D-GLB0 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:DDR 256Mb |
| K4H561638D-GLB3 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:DDR 256Mb |
| K4H561638D-TC/LA0 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:256Mb |
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