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參數資料
| 型號： | K4R271669B-N(M)CG6 |
| 廠商： | SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD. |
| 英文描述： | 256K x 16/18 bit x 32s banks Direct RDRAMTM |
| 中文描述： | 256 × 16/18位× 32秒銀行直接RDRAMTM |
| 文件頁數： | 1/20頁 |
| 文件大小： | 306K |
| 代理商： | K4R271669B-N(M)CG6 |
Direct RDRAM
Page -1
K4R271669B/K4R441869B
Version 1.11 Oct. 2000
October 2000
Version 1.11
Direct RDRAM
TM
256K x 16/18 bit x 32s banks
128/144Mbit RDRAM(B-die)
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| K4R271669B-N(M)CK7 | 256K x 16/18 bit x 32s banks Direct RDRAMTM |
| K4R271669B-Nb(M)CcK8 | 256K x 16/18 bit x 32s banks Direct RDRAMTM |
| K4R271669B | 256K x 16/18 bit x 32s banks Direct RDRAMTM |
| K4R441869B | 256K x 16/18 bit x 32s banks Direct RDRAMTM |
| K4R441869B-N(M)CG6 | 256K x 16/18 bit x 32s banks Direct RDRAMTM |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| K4R271669D | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:128Mbit RDRAM(D-die) |
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| K4R271669F | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:128Mbit RDRAM(F-die) |
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