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參數資料
| 型號： | K4R761869A-GCT9 |
| 廠商： | SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD. |
| 英文描述： | 576Mbit RDRAM (A-die) 1M x 18bit x 32s banks Direct RDRAMTM |
| 中文描述： | 576Mbit的RDRAM（一模）100萬x 18位x 32秒銀行直接RDRAMTM |
| 文件頁數： | 1/20頁 |
| 文件大小： | 313K |
| 代理商： | K4R761869A-GCT9 |
Direct RDRAM
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K4R761869A
Version 1.41 Jan. 2004
January 2004
Version 1.41
Direct RDRAM
TM
1M x 18bit x 32s banks
576Mbit RDRAM
(A-die)
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| K4R761869A-F | 576Mbit RDRAM (A-die) 1M x 18bit x 32s banks Direct RDRAMTM |
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相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
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| K4R881869 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:288Mbit RDRAM 512K x 18 bit x 2*16 Dependent Banks Direct RDRAMTM |
| K4R881869D | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:256/288Mbit RDRAM(D-die) |
| K4R881869D-FCM8 | 制造商:Samsung Electro-Mechanics 功能描述:16M X 18 DIRECT RAMBUS DRAM, PBGA92 |
| K4R881869EFCT9 | 制造商:Samsung Semiconductor 功能描述: |
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