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參數資料
| 型號： | K4R881869M-NbCcG6 |
| 廠商： | SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD. |
| 英文描述： | 288Mbit RDRAM 512K x 18 bit x 2*16 Dependent Banks Direct RDRAMTM |
| 中文描述： | 288Mbit RDRAM的為512k × 18位× 2 * 16屬銀行直接RDRAMTM |
| 文件頁數： | 1/64頁 |
| 文件大小： | 4084K |
| 代理商： | K4R881869M-NBCCG6 |
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Direct RDRAM
K4R881869M
Rev. 0.9 Jan. 2000
Preliminary
288Mbit RDRAM
512K x 18 bit x 2*16 Dependent Banks
Direct RDRAM
TM
Revision 0.9
January 2000
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| K4R881869M-NCK7 | 288Mbit RDRAM 512K x 18 bit x 2*16 Dependent Banks Direct RDRAMTM |
| K4R881869M-NCK8 | 288Mbit RDRAM 512K x 18 bit x 2*16 Dependent Banks Direct RDRAMTM |
| K4S280432A | 128Mbit SDRAM 8M x 4Bit x 4 Banks Synchronous DRAM LVTTL |
| K4S280432C | 128Mbit SDRAM 8M x 4Bit x 4 Banks Synchronous DRAM LVTTL |
| K4S280432F-UC | 128Mb F-die SDRAM Specification 54 TSOP-II with Pb-Free (RoHS compliant) |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| K4R881869M-NCK7 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:288Mbit RDRAM 512K x 18 bit x 2*16 Dependent Banks Direct RDRAMTM |
| K4R881869M-NCK8 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:288Mbit RDRAM 512K x 18 bit x 2*16 Dependent Banks Direct RDRAMTM |
| K4R881869M-NCK8000 | 制造商:Samsung SDI 功能描述: |
| K4S160822D | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:2Mx8 SDRAM 1M x 8bit x 2 Banks Synchronous DRAM LVTTL |
| K4S160822DT-G/F10 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:2Mx8 SDRAM 1M x 8bit x 2 Banks Synchronous DRAM LVTTL |
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