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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | K9F1G08U0M |
| 廠商： | SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD. |
| 英文描述： | 1Gb Gb 1.8V NAND Flash Errata |
| 中文描述： | 1Gb的NAND閃存千兆1.8V的勘誤表 |
| 文件頁數(shù)： | 1/38頁 |
| 文件大小： | 713K |
| 代理商： | K9F1G08U0M |
當(dāng)前第1頁第2頁第3頁第4頁第5頁第6頁第7頁第8頁第9頁第10頁第11頁第12頁第13頁第14頁第15頁第16頁第17頁第18頁第19頁第20頁第21頁第22頁第23頁第24頁第25頁第26頁第27頁第28頁第29頁第30頁第31頁第32頁第33頁第34頁第35頁第36頁第37頁第38頁
San 16 Banwol-Ri
Taean-Eup Hwasung- City
Kyungki Do, Korea
Tel.) 82 - 31 - 208 - 6463
Fax.) 82 - 31 -208 - 6799
March. 2003
ELECTRONICS
1
1
1
Gb
1.8V NAND Flash Errata
Description
: Some of AC characteristics are not meeting the specification.
> AC characteristics : Refer to Table
Affected Products
: K9F1G08Q0M-YCB0/YIB0, K9F1G16Q0M-YCB0/YIB0
K9K2G08Q0M-YCB0/YIB0, K9K2G16Q0M-YCB0/YIB0
Improvement schedule
: The components targeted to meet the specification
is scheduled to be available by workweek 25 along
with the final specification values.
Sincerely,
chwoosun@sec.samsung.com
Product Planning & Application Eng.
Memory Division
Samsung Electronics Co.
Table
Parameters
Specification
Relaxed Condition
tWC
45
80
tWH
15
20
tWP
25
60
tRC
50
80
tREH
15
20
tRP
25
60
tREA
30
60
UNIT : ns
Workaround
: Relax the relevant timing parameters according to the table.
tCEA
45
75
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| K9F1G08U0M-FCB0 | 1Gb Gb 1.8V NAND Flash Errata |
| K9F1G08U0M-FIB0 | 1Gb Gb 1.8V NAND Flash Errata |
| K9F1G08U0M-PCB0 | 1Gb Gb 1.8V NAND Flash Errata |
| K9F1G08U0M-PIB0 | 1Gb Gb 1.8V NAND Flash Errata |
| K9F1G08U0M-VCB0 | 1Gb Gb 1.8V NAND Flash Errata |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| K9F1G08U0M-FCB0 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:1Gb Gb 1.8V NAND Flash Errata |
| K9F1G08U0M-FIB0 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:1Gb Gb 1.8V NAND Flash Errata |
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| K9F1G08U0M-VCB0 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:1Gb Gb 1.8V NAND Flash Errata |
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