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參數資料
| 型號： | KBU6D |
| 廠商： | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP |
| 元件分類： | 參考電壓二極管 |
| 英文描述： | 6.0 Ampere Silicon Bridge Rectifiers(6.0A的橋型硅整流器（重復峰值反向電壓：200V）) |
| 中文描述： | 6 A, 200 V, SILICON, BRIDGE RECTIFIER DIODE |
| 封裝： | KBU, 4 PIN |
| 文件頁數： | 1/3頁 |
| 文件大小： | 30K |
| 代理商： | KBU6D |
K
KBU6A-KBU6M, Rev. A
KBU6A - KBU6M
6.0 Ampere Silicon Bridge Rectifiers
1999 Fairchild Semiconductor Corporation
Features
High surge current capability.
Reliable construction technique.
Ideal for printed circuit board.
Dimensions are in: inches (mm)
KBU
0.165(4.2)
0.150(3.8)
0.280(7.1)
0.260(6.6)
0.052(1.3)
0.048(1.2)
~
~
+
45°
0.935(23.7)
0.895(22.7)
0.0760(19.3)
MAX
0.70(17.8)
0.66(16.8)
0.455(11.3)
0.405(10.3)
0.085(2.2)
0.065(1.7)
0.260(6.8)
0.180(4.5)
0.220(5.6)
0.180(4.6)
0.16(4.1)
0.14(3.6)
+
–
1.0(2.54)
MIN
Absolute Maximum Ratings*
T
A
= 25°C unless otherwise noted
Electrical Characteristics
T
A
= 25°C unless otherwise noted
Parameter
Device
Units
6A
50
35
50
6B
100
70
100
6D
200
140
200
6G
400
280
400
6J
600
420
600
6K
800
560
800
6M
1000
700
1000
Peak Repetitive Reverse Voltage
Maximum RMS Bridge Input Voltage
V
V
V
DC Reverse Voltage
Maximum Reverse Leakage,
total bridge @ rated V
R
T
A
= 25
°
C
(Rated V
R
)
T
A
= 100
°
C
5.0
500
μ
A
μ
A
Maximum Forward Voltage Drop,
per bridge
@ 6.0 A
1.0
V
Symbol
Parameter
Value
Units
I
O
Average Rectified Current
@ T
A
= 65
°
C
Peak Forward Surge Current
Total Device Dissipation
Derate above 25
°
C
Thermal Resistance, Junction to Ambient,** per leg
Thermal Resistance, Junction to Case,** per leg
Storage Temperature Range
Operating Junction Temperature
6.0
A
i
f(surge)
P
D
250
6.7
54
8.6
4.0
A
W
mW/
°
C
°
C/W
°
C/W
°
C
°
C
R
θ
JA
R
θ
JC
T
stg
T
J
*
These ratings are limiting values above which the serviceability of any semiconductor device may be impaired.
**
Device mounted on PCB with 0.375 " (9.5 mm) lead length and 0.5 x 0.5" (12 x 12 mm) copper pads.
-55 to +150
-55 to +150
Discrete POWE R & Signal
Technologies
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| KBU6G | 6.0 Ampere Silicon Bridge Rectifiers(6.0A的橋型硅整流器（重復峰值反向電壓：400V）) |
| KBU6J | 6.0 Ampere Silicon Bridge Rectifiers(6.0A的橋型硅整流器（重復峰值反向電壓：600V）) |
| KBU6K | 6.0 Ampere Silicon Bridge Rectifiers(6.0A的橋型硅整流器（重復峰值反向電壓：800V）) |
| KBU6M | 8.0 Ampere Silicon Bridge Rectifiers(8.0A的橋型硅整流器（重復峰值反向電壓：1000V）) |
| KBU6 | Silicon-Bridge Rectifiers |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| KBU6D _B0 _10001 | 制造商:PanJit Touch Screens 功能描述: |
| KBU6D | 制造商:SPC Multicomp 功能描述:BRIDGE RECTIFIER 6A 200V |
| KBU6D/1 | 制造商:Vishay Semiconductors 功能描述:Diode Rectifier Bridge Single 200V 6A 4-Pin Case KBU Bulk |
| KBU6D_Q | 功能描述:橋式整流器 6A Bridge Rectifier RoHS:否 制造商:Vishay 產品:Single Phase Bridge 峰值反向電壓:1000 V 最大 RMS 反向電壓: 正向連續電流:4.5 A 最大浪涌電流:450 A 正向電壓下降:1 V 最大反向漏泄電流:10 uA 功率耗散: 最大工作溫度:+ 150 C 長度:30.3 mm 寬度:4.1 mm 高度:20.3 mm 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:SIP-4 封裝:Tube |
| KBU6D-E4 | 制造商:Vishay Intertechnologies 功能描述:Bridge Rectifier Single 200V 6A KBU4 |
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