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參數資料
| 型號： | KDV350E |
| 廠商： | KEC Holdings |
| 英文描述： | VARIABLE CAPACITANCE DIODE SILICON EPITAXIAL PLANAR DIODE(VCO) |
| 中文描述： | 變容二極管外延硅平面二極管（壓控振蕩器） |
| 文件頁數： | 1/2頁 |
| 文件大小： | 65K |
| 代理商： | KDV350E |
2000. 3. 7
1/2
SEMICONDUCTOR
TECHNICAL DATA
KDV350E
Revision No : 0
VCO.
FEATURES
Low Series Resistance : r
S
=0.50
(Max.)
Small Package. (ESC Package)
MAXIMUM RATING (Ta=25
)
ESC
DIM
A
B
C
D
E
F
MILLIMETERS
1.60 0.10
1.20 0.10
0.80 0.10
0.30 0.05
0.60 0.10
0.13 0.05
+
C
D
C
B
A
1
2
E
1. ANODE
2. CATHODE
F
+
+
+
+
+
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Ta=25
)
VARIABLE CAPACITANCE DIODE
SILICON EPITAXIAL PLANAR DIODE
Type Name
Marking
K
U
CHARACTERISTIC
SYMBOL
RATING
UNIT
Reverse Voltage
V
R
15
V
Junction Temperature
T
j
150
Storage Temperature Range
T
stg
-55
150
CHARACTERISTIC
SYMBOL
TEST CONDITION
MIN.
TYP.
MAX.
UNIT
Reverse Voltage
V
R
I
R
=1
A
15
-
-
V
Reverse Current
I
R
V
R
=15V
-
-
10
nA
Capacitance
C
1V
V
R
=1V, f=1MHz
15.0
-
17.5
pF
C
4V
V
R
=4V, f=1MHz
5.3
-
6.3
Capacitance Ratio
K
C
1V
/C
4V
, f=1MHz
2.8
-
-
Series Resistance
r
S
V
R
=1V, f=470MHz
-
-
0.5
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PDF描述 |
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相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
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