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參數資料
| 型號： | KM416S4030CT-FL |
| 廠商： | SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD. |
| 英文描述： | 1M x 16Bit x 4 Banks Synchronous DRAM |
| 中文描述： | 100萬× 16 × 4銀行同步DRAM |
| 文件頁數： | 1/11頁 |
| 文件大小： | 124K |
| 代理商： | KM416S4030CT-FL |
KM416S4030C
REV. 2 June '98
CMOS SDRAM
Preliminary
Revision History
Revision 1 (May 1998)
- I
CC2
N value (10mA) is changed to 12mA.
Revision .2 (June 1998)
- t
SH
(-10 binning) is revised.
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| KM416S4030CT-G | 1M x 16Bit x 4 Banks Synchronous DRAM |
| KM416V4004B | 4M x 16bit CMOS Dynamic RAM with Extended Data Out(4M x 16位 CMOS動態RAM(帶擴展數據輸出)) |
| KM416V4004C | 4M x 16bit CMOS Dynamic RAM with Extended Data Out(4M x 16位 CMOS動態RAM(帶擴展數據輸出)) |
| KM416V4100B | 4M x 16bit CMOS Dynamic RAM with Fast Page Mode(4M x 16位 CMOS動態RAM(帶快速頁模式)) |
| KM41V4000D | RES,Film,0.33Ohms,250WV,200ppm-TC,4112-Case RoHS Compliant: Yes |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| KM416S4030CT-G | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:1M x 16Bit x 4 Banks Synchronous DRAM |
| KM416S8030 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:2M x 16Bit x 4 Banks Synchronous DRAM |
| KM416S8030B | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:128Mbit SDRAM 2M x 16Bit x 4 Banks Synchronous DRAM LVTTL |
| KM416S8030BN | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:128Mb SDRAM Shrink TSOP 2M x 16Bit x 4 Banks Synchronous DRAM LVTTL |
| KM416S8030BN-G/FH | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:128Mb SDRAM Shrink TSOP 2M x 16Bit x 4 Banks Synchronous DRAM LVTTL |
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