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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | KMM366S403CT |
| 廠商： | SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD. |
| 英文描述： | 4Mx64 SDRAM DIMM(4Mx64 動(dòng)態(tài) RAM模塊) |
| 中文描述： | 4Mx64 SDRAM的內(nèi)存（4Mx64動(dòng)態(tài)內(nèi)存模塊） |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 1/13頁(yè) |
| 文件大小： | 157K |
| 代理商： | KMM366S403CT |
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PC100 SDRAM MODULE
KMM366S403CT
REV. 1 Mar. '98
Revision History
Revision .0 (Feb. 1998)
- Input leakage Currents (Inputs / DQ) of Component level are changed.
I
IL
(Inputs) :
±
5uA to
±
1uA, I
IL
(DQ) :
±
5uA to
±
1.5uA.
- Cin to be measured at V
DD
= 3.3V, T
A
= 23
°
C, f = 1MHz, V
REF
=1.4V
±
200 mV.
Revision .1 (Mar. 1998)
AC Operating Condition is changed as defined :
- V
IH
(max) = 5.6V AC. The overshoot voltage duration is
≤
3ns.
V
IL
(min) = -2.0V AC. The undershoot voltage duration is
≤
3ns.
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