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參數資料
型號: KMM374S823BTL
廠商: SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD.
英文描述: 8Mx72 SDRAM DIMM(8Mx72 動態 RAM模塊)
中文描述: 8Mx72 SDRAM的內存(8Mx72動態內存模塊)
文件頁數: 1/13頁
文件大小: 141K
代理商: KMM374S823BTL
PC66 SDRAM MODULE
KMM374S823BTL
REV. 5 June '98
Revision History
Revision .3 (Mar. 1998)
Some Parameter values & Characteristics of comp. level are changed as below :
- Input leakage currents (Inputs) :
±
5uA to
±
1uA.
- Input leakage currents (I/O) :
±
5uA to
±
1.5uA.
- Cin to be measured at V
DD
= 3.3V, T
A
= 23
°
C
,
f = 1MHz, V
REF
= 1.4V
±
200mV.
- AC Operating Condition is changed as defined :
V
IH
(max) = 5.6V AC. The overshoot voltage duration is
3ns.
V
IL
(min) = -2.0V AC. The undershoot voltage duration is
3ns.
- I
CC3
PS is changed 1mA to 2mA.
Revision .4 (March 1998)
- I
CC2
N, I
CC2
NS, I
CC3
N & I
CC3
NS in comp. level values are changed.
Revision .5 (June 1998)
- tSH (-10 binning) is revised.
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PDF描述
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