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參數資料
| 型號： | KMM53216000BV |
| 廠商： | SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD. |
| 英文描述： | 16M x 32 DRAM SIMM(16M x 32 動態 RAM模塊) |
| 中文描述： | 1,600 × 32的DRAM上海藥物研究所（1,600 × 32動態內存模塊） |
| 文件頁數： | 1/19頁 |
| 文件大小： | 342K |
| 代理商： | KMM53216000BV |
DRAM MODULE
KMM53216000BV/BVG
Revision History
Version 0.0 (Sept. 1997)
Removed two AC parameters t
CACP
(access time from CAS) and t
AAP
(access time from col. addr.) in
AC CHARACTERISTICS
.
Version 0.1 (June 1998)
The 3rd. generation of 64M DRAM components are applied for this module.
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| KMM53232000BV | 32M x 32 DRAM SIMM(32M x 32 動態 RAM模塊) |
| KMM5324000BSWG | 4M x 32 DRAM SIMM Using 4Mx16, 4K Refresh, 5V |
| KMM5324000CK | 4M x 32 DRAM SIMM using 4Mx4, 4K/2K Refresh, 5V |
| KMM5324000CKG | 4M x 32 DRAM SIMM using 4Mx4, 4K/2K Refresh, 5V |
| KMM5324004BSWG | 4M x 32 DRAM SIMM Using 4Mx16, 4K Refresh, 5V |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| KMM53216000CK | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:16M x 32 DRAM SIMM Using 16Mx4, 4K Refresh, 5V |
| KMM53216000CKG | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:16M x 32 DRAM SIMM Using 16Mx4, 4K Refresh, 5V |
| KMM53216004BK | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:16M x 32 DRAM SIMM Using 16Mx4, 4K Refresh, 5V |
| KMM53216004BKG | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:16M x 32 DRAM SIMM Using 16Mx4, 4K Refresh, 5V |
| KMM53216004CK | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:16M x 32 DRAM SIMM Using 16Mx4, 4K Refresh, 5V |
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