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參數資料
| 型號： | KMM5362205C2W |
| 廠商： | SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD. |
| 英文描述： | 2M x 36 DRAM SIMM using 1Mx16 and 4M Quad CAS EDO, 1K Refresh |
| 中文描述： | 200萬× 36的DRAM上海藥物研究所和4M使用1Mx16四中科院江戶，一千刷新 |
| 文件頁數： | 1/17頁 |
| 文件大?。?/td> | 296K |
| 代理商： | KMM5362205C2W |
DRAM MODULE
KMM5362205C2W/C2WG
Rev. 0.0 (Nov. 1997)
- 1 -
2Mx36 DRAM SIMM
(1MX16 Base, Quad CAS EDO)
Revision 0.0
November 1997
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| KMM5362205C2WG | 2M x 36 DRAM SIMM using 1Mx16 and 4M Quad CAS EDO, 1K Refresh |
| KMM5364005BSW | 4M x 36 DRAM SIMM(4M x 36 動態 RAM模塊) |
| KMM5364103CKG | 4M x 36 DRAM SIMM using 4Mx4 and 16M Quad CAS, 4K/2K Refresh, 5V |
| KMM5364003CKG | 4M x 36 DRAM SIMM using 4Mx4 and 16M Quad CAS, 4K/2K Refresh, 5V |
| KMM5364003BSWG | 4M x 36 DRAM SIMM Using 4Mx16 & Quad CAS 4Mx4, 4K Refresh, 5V |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| KMM5362205C2WG | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:2M x 36 DRAM SIMM using 1Mx16 and 4M Quad CAS EDO, 1K Refresh |
| KMM53632000BK | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:32M x 36 DRAM SIMM Using 16Mx4 & 16Mx1, 4K Refresh, 5V |
| KMM53632000BKG | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:32M x 36 DRAM SIMM Using 16Mx4 & 16Mx1, 4K Refresh, 5V |
| KMM53632000CK | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:32M x 36 DRAM SIMM Using 16Mx4 & 16Mx1, 4K Refresh, 5V |
| KMM53632000CKG | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:32M x 36 DRAM SIMM Using 16Mx4 & 16Mx1, 4K Refresh, 5V |
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