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參數(shù)資料
| 型號： | KSA1281O |
| 廠商： | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP |
| 元件分類： | 小信號晶體管 |
| 英文描述： | Audio Power Amplifier |
| 中文描述： | 2000 mA, 50 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 封裝： | LEAD FREE, TO-92L, 3 PIN |
| 文件頁數(shù)： | 1/4頁 |
| 文件大小： | 40K |
| 代理商： | KSA1281O |
2001 Fairchild Semiconductor Corporation
Rev. A1, June 2001
K
PNP Epitaxial Silicon Transistor
Absolute Maximum Ratings
T
a
=25
°
C unless otherwise noted
Symbol
V
CBO
Collector-Base Voltage
V
CEO
Collector-Emitter Voltage
V
EBO
Emitter-Base Voltage
I
C
Collector Current
P
C
Collector Power Dissipation
T
J
Junction Temperature
T
STG
Storage Temperature
Electrical Characteristics
T
a
=25
°
C
unless otherwise noted
Symbol
Parameter
BV
CBO
Collector-Base Breakdown Voltage
BV
CEO
Collector-Emitter Breakdown Voltage
BV
EBO
Emitter-Base Breakdown Voltage
I
CBO
Collector Cut-off Current
I
EBO
Emitter Cut-off Current
h
FE1
h
FE2
V
BE
(sat)
Base-Emitter Saturation Voltage
V
CE
(sat)
Collector-Emitter Saturation Voltage
C
ob
Output Capacitance
f
T
Current Gain Bandwidth Product
h
FE1
Classification
Classification
Parameter
Ratings
-50
-50
-5
-2
1
150
-55 ~ +150
Units
V
V
V
A
W
°
C
°
C
Test Condition
I
C
= -100, I
E
=0
I
C
= -10mA, I
B
=0
I
E
= -1mA, I
C
=0
V
CB
= -50V, I
E
=0
V
EB
= -5V, I
C
=0
V
CE
= -2V, I
C
= -500mA
V
CE
= -2V, I
C
= -1.5A
I
C
= -1A, I
B
= -0.05mA
I
C
= -1A, I
B
= -0.05mA
V
CB
= -10V, I
E
=0, f=1MHz
V
CE
= -2V, I
C
= -500mA
Min.
-50
-50
-5
Typ.
Max.
Units
V
V
V
nA
nA
-100
-100
240
DC Current Gain
70
40
-1.2
-0.5
V
V
pF
MHz
40
100
O
Y
h
FE1
70 ~ 140
120 ~ 240
KSA1281
Audio Power Amplifier
Collector Power Dissipation : P
C
=1W
3 Watt Output Application
TO-92L
1
1. Emitter 2. Collector 3. Base
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| KSA1281Y | Audio Power Amplifier |
| KSA1281 | Audio Power Amplifier |
| KSA1298 | PNP (LOW FREQUENCY AMPLIFIER) |
| KSA1298 | LOW FREQUENCY POWER AMPLIFIER |
| KSA1298O | Octal LNA/VGA/AAF/ADC and Crosspoint Switch; Package: EVALUATION BOARDS; No of Pins: 100; Temperature Range: Industrial |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| KSA1281OBU | 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP Si Transistor Epitaxial RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| KSA1281OTA | 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP/50V/2A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| KSA1281OTA_Q | 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP/50V/2A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| KSA1281Y | 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:Audio Power Amplifier |
| KSA1281YBU | 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP Si Transistor Epitaxial RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
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