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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | KSA1625 |
| 廠商： | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP |
| 元件分類： | 小信號(hào)晶體管 |
| 英文描述： | High Voltage Switch |
| 中文描述： | 500 mA, 400 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
| 封裝： | TO-92, 3 PIN |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 1/4頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 45K |
| 代理商： | KSA1625 |
2002 Fairchild Semiconductor Corporation
Rev. A2, June 2002
K
PNP Silicon Transistor
Absolute Maximum Ratings
T
a
=25
°
C unless otherwise noted
Symbol
V
CBO
Collector-Base Voltage
V
CEO
Collector-Emitter Voltage
V
EBO
Emitter-Base Voltage
I
B
Base Current
I
C
Collector Current (DC)
I
CP
Collector Current (Pulse)
P
C
Collector Power Dissipation (T
a
=25
°
C)
P
C
Collector Power Dissipation (T
C
=25
°
C)
T
J
Junction Temperature
T
STG
Storage Temperature
Electrical Characteristics
T
a
=25
°
C
unless otherwise noted
Symbol
Parameter
BV
CEO
Collector-Emitter Breakdown Voltage
I
CBO
Collector Cut-off Current
I
EBO
Emitter Cut-off Current
h
FE
Dc Current Gain
V
CE
(sat)
Collector-Emitter Saturation Voltage
V
BE
(sat)
Base-Emitter Saturation Voltage
f
T
Current Gain Bandwidth Product
C
ob
Output Capacitance
t
ON
Turn On Time
t
STG
Storage Time
t
F
Fall Time
h
FE
Classification
Classification
Parameter
Ratings
-400
-400
-7
-0.25
-0.5
-1.0
0.75
2
150
-55 ~ 150
Units
V
V
V
A
A
A
W
W
°
C
°
C
Test Condition
I
C
= -1mA, I
B
=0
V
CB
= -400V, I
E
=0
V
EB
= -5V, I
C
=0
V
CE
= -5V, I
C
= -50mA
I
C
= -100mA, I
B
= -10mA
I
C
= -100mA, I
B
= -10mA
V
CE
= -10V, I
C
= -10mA
V
CB
= -10V, f=1MHz
I
C
= -100mA, R
L
=1.5k
I
B1
=- I
B2
= -10mA
V
CC
= -150V
Min.
-400
Max.
Units
V
μ
A
μ
A
-1
-1
200
-1
-1.2
40
V
V
10
MHz
pF
μ
s
μ
s
μ
s
25
1
5
1
M
L
K
h
FE
40 ~ 80
60 ~ 120
100 ~ 200
KSA1625
High Voltage Switch
High Breakdown Voltage
High Speed Switching
1. Emitter 2. Collector 3. Base
TO-92
1
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PDF描述 |
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相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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| KSA1625KTA | 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP Epitaxial Transistor RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| KSA1625KTA_Q | 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP Epitaxial Transistor RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
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