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參數資料
| 型號： | KSA614 |
| 廠商： | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP |
| 元件分類： | 功率晶體管 |
| 英文描述： | LOW FREQUENCY POWER AMPLIFIER |
| 中文描述： | 3 A, 55 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220 |
| 封裝： | TO-220, 3 PIN |
| 文件頁數： | 1/4頁 |
| 文件大小： | 43K |
| 代理商： | KSA614 |
2000 Fairchild Semiconductor International
Rev. A, February 2000
K
PNP Epitaxial Silicon Transistor
Absolute Maximum Ratings
T
C
=25
°
C unless otherwise noted
Symbol
V
CBO
Collector- Base Voltage
V
CEO
Collector- Emitter Voltage
V
EBO
Emitter- Base Voltage
I
C
Collector Current
P
C
Collector Dissipation (T
C
=25
°
C)
T
J
Junction Temperature
T
STG
Storage Temperature
Electrical Characteristics
T
C
=25
°
C unless otherwise noted
Symbol
Parameter
BV
CBO
Collector-Base Breakdown Voltage
BV
CEO
Collector-Emitter Breakdown Voltage
BV
EBO
Emitter-Base Breakdown Voltage
I
CBO
Collector Cut-off Current
h
FE
DC Current Gain
V
CE
(sat)
Collector-Emitter Saturation Voltage
h
FE
Classification
Classification
Parameter
Ratings
- 80
- 55
- 5
- 3
25
150
- 55 ~ 150
Units
V
V
V
A
W
°
C
°
C
Test Condition
I
C
= - 500
μ
A, I
E
= 0
I
C
= - 10mA, I
B
= 0
I
E
= - 500
μ
A, I
C
= 0
V
CB
= - 50V, I
E
= 0
V
CE
= - 5V, I
C
= - 0.5A
I
C
= - 1A, I
B
= - 0.1A
Min.
- 80
- 55
- 5
Typ.
Max.
Units
V
V
V
μ
A
- 50
240
- 0.5
40
- 0.15
V
R
O
Y
h
FE
40 ~ 80
70 ~ 140
120 ~ 240
KSA614
Low Frequency Power Amplifier
Power Regulator
Collector-Base Voltage : V
CBO
= -80V
Collector Dissipation : P
C
=25W (T
C
=25
°
C)
1.Base 2.Collector 3.Emitter
1
TO-220
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| KSA636 | PNP (LOW FREQUENCY POWER AMPLIFIER) |
| KSA709 | PNP (HIGH VOLTAGE AMPLIFIER) |
| KSA709 | High Voltage Amplifier |
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| KSA812 | Low Frequency Amplifier |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
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| KSA614OTU | 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP Epitaxial Sil RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| KSA614R | 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP Epitaxial Sil RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| KSA614RTU | 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP Epitaxial Sil RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| KSA614Y | 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP Epitaxial Sil RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
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