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參數(shù)資料
| 型號： | KSA928A-TO-92L |
| 廠商： | 江蘇長電科技股份有限公司 |
| 英文描述： | TRANSISTOR（ PNP ） |
| 中文描述： | 晶體管（進步黨） |
| 文件頁數(shù)： | 1/2頁 |
| 文件大小： | 237K |
| 代理商： | KSA928A-TO-92L |
JIANGSU CHANGJIANG ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD
TO-92L Plastic-Encapsulate Transistors
KSA928A
TRANSISTOR
（
PNP
）
FEATURE
y
Audio power amplifier
y
Complement to Application
MAXIMUM RATINGS* T
A
=25
Symbol
℃
unless otherwise noted
Parameter
Value
Units
V
CBO
Collector-Base Voltage
-30
V
V
CEO
Collector-Emitter Voltage
-30
V
V
EBO
Emitter-Base Voltage
-5
V
I
C
Collector Current -Continuous
-2
A
P
C
Collector Dissipation
1
W
T
J
, T
stg
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
Junction and Storage Temperature
-55 to +150
℃
（
Tamb=25
℃
unless otherwise specified
）
Parameter
Symbol
Test conditions
MIN
TYPE
MAX
UNIT
Collector-base breakdown voltage
V(BR)
CBO
Ic= -100
μ
A
，
I
E
=0
-30
V
Collector-emitter breakdown voltage
V(BR)
CEO
I
C
= -10 mA , I
B
=0
-30
V
Emitter-base breakdown voltage
V(BR)
EBO
I
E
= -1mA
，
I
C
=0
-5
V
Collector cut-off current
I
CBO
V
CB
= -30 V, IE=0
-0.1
μ
A
Emitter cut-off current
I
EBO
V
EB
= -5V, IC=0
-0.1
μ
A
DC current gain
h
FE
V
CE
=-2 V, IC= -500mA
100
320
Collector-emitter saturation voltage
V
CE(sat)
I
C
= -1.5 A, I
B
= -0.03A
-2
V
Base-emitter voltage
V
BE
I
C
= -500 mA, VCE= -2V
-1
V
Transition frequency
f
T
V
CE
= -2 V, I
C
= -500mA
120
MHz
Collector output capacitance
C
ob
V
CB
=-10V,I
E
=0,f=1MHz
48
pF
CLASSIFICATION OF hFE
Rank
O
Y
Range
100-200
160-320
1 2 3
TO-92L
1.EMITTER
2.COLLECTOR
3.BASE
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| KSA952 | PNP SILICON TRANSISTOR |
| KSB1015 | LOW FREQUENCY POWER AMPLIFIER |
| KSB1017 | Power Amplifier Applications |
| KSB1022 | High Power Switching Applications |
| KSB1116S | Audio Frequency Power Amplifier Medium Speed Switching |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| KSA928AYBU | 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP Epitaxial Sil RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| KSA928AYTA | 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP Epitaxial Transistor RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| KSA928AYTA_Q | 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP Epitaxial Transistor RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| KSA931 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:Low Frequency Amplifier & Medium Speed Switching |
| KSA931OBU | 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP Epitaxial Sil RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
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